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MC78XXAE  
S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
AC特性
555计划
2AA擦除
PA方案
SA的扇区擦除
555芯片擦除
数据#投票
PA
地址
t
WC
t
WH
WE#
t
GHEL
OE #
t
CP
CE#
t
WS
t
CPH
t
DS
t
DH
数据
t
RH
A0方案
55擦除
PD的节目
30扇区擦除
10芯片擦除
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
WHWH1或2
t
DQ7#
D
OUT
RESET#
RY / BY #
注意事项:
1.
2.
PA =程序地址, PD =程序数据, DQ7 # =写入设备,D的数据的补充
OUT
=数据
写入器件。
图表明该命令序列的最后两个总线周期。
图28.备用CE #控制的写操作时序
78
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
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