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AME8550BEEVC190L  AME8550AEEVD360L  AME8550AEEVD240L  AME8550AEETB340Z  AME8550BEEVD240Y  AME8550AEETA300Z  AME8550BEEVC460Y  AME8550BEEVD240Z  AME8550BEEVC290Y  AME8550AEETB210Z  
S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
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品牌   SPANSION [ SPANSION ]
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
命令德网络nitions
写入特定的地址和数据的命令或序列进入命令寄存器发起
设备的操作。
定义有效的COM注册
命令序列。写作
不正确的地址和数据值
或者将它们写在
不当
顺序
设备重置读取阵列数据。
所有的地址都锁定在WE#或CE #下降沿,以较迟者为准发生。所有数据
锁存WE#或CE #的上升沿,先发生者为准。看
时序图。
在读的非突发模式阵列数据
该装置会自动设置为设备后,开机读取阵列数据。没有命令
检索数据所需的。该器件还准备完成一个嵌入后读取阵列数据
DED程序或嵌入式擦除算法。
之后,该设备接受一个擦除挂起命令时,器件进入擦除挂起模式。
该系统可以使用标准的读出定时,读出数组数据不同之处在于,即使读取在一个AD-
擦除悬浮部门内部的礼服,设备输出状态数据。完成后,
编程操作中的擦除挂起模式中,系统可以再次读取数组数据
用相同的异常。看
了解更多
在这种模式下的信息。
该系统
必须
发出复位命令来重新启用该设备用于读取数组数据,如果DQ5
变为高电平时,或当在自动选择模式。看
了解更多信息。看
关于该模式的更多信息。
阅读连拍模式阵列数据
该器件能够非常快的连拍模式读取操作。配置寄存器设置
读取配置,突发秩序,频率配置和突发长度。
一旦接通电源,设备默认为异步模式。在这种模式下, CLK和ADV #是
忽略不计。该器件的工作就像一个传统的闪存设备。数据可用吨
/t
CE
纳秒
哔声后地址趋于稳定, CE #变断言。该装置由进入突发模式
实现同步突发读取配置寄存器。该器件通过退出突发模式
禁用同步突发读取配置寄存器。 (见
在RESET #命令不会终止突发模式。系统复位(上电
复位)终止连拍模式。
该设备具有常规控制引脚,即芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和输出
启用( OE # )控制正常的读写操作。此外,另外三个控制引脚
加入到允许简单的接口以最小的胶合逻辑以广泛的微处理器/
微控制器的高性能突发读取能力。这些附加引脚地址
有效( ADV # )和时钟( CLK ) 。 CE # , OE #和WE#是异步的(相对于CLK ) 。连拍
模式读操作是同步操作绑在时钟的边缘。微处理器
/微控制器仅提供初始地址,所有后续的地址自动
由该装置与由配置寄存器定义中所定义的定时生成。连拍
读周期由一个地址段和相应的数据相。
在地址阶段,地址有效( ADV # )引脚置(取低)的一个时钟
期。连同在CLK的边缘,起始脉冲串地址被装入内部
突发地址计数器。内部突发地址计数器可以被配置为2,4 ,和
8双字线爆裂,带或不带绕包。看
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S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
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