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描述:
TPS65320QPWPRQ1  TLV2542  TSOP4038  VC040214X300  UF4002  TLLG4400-AS12  V153C6K  V23100-V4315-B000  V23100-V4024-A010  TLC2543CFNRG3  
S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
文件大小 :   2161 K    
页数 : 87 页
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品牌   SPANSION [ SPANSION ]
购买 :   
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
DC特性
CMOS兼容
参数
I
LI
I
LIWP
I
点亮
I
LO
I
建行
I
CC1
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
CC7
I
CC8
I
V
IL
V
IH
V
ILCLK
V
IHCLK
V
ID
V
OL
I
OLRB
V
HH
V
OH
V
LKO
描述
输入负载电流
WP #输入负载电流
A9 , ACC输入负载电流
输出漏电流
V
CC
主动突发读取电流( 1 )
V
CC
主动异步
读取电流( 1 )
V
CC
活性节目电流(2 ,
V
CC
活性擦除电流(2 ,
V
CC
待机电流( CMOS )
V
CC
工作电流
(阅读而写)
V
CC
复位电流( )
自动睡眠模式电流
V
加速电流
输入低电压
输入高电压
CLK输入低电压
CLK输入高电压
电压自动选择
输出低电压
RY / BY # ,输出低电流
V
CC
= 2.5 V
I
OL
= 4.0毫安, V
CC
= V
CC分钟
V
OL
= 0.4 V
I
OH
= -100 μA ,V
CC
= V
CC分钟
8
0.85× V
CC
V
IO
–0.1
1.6
2.0
V
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
IO
, V
IO
= V
IO最大
V
IN
= V
SS
到V
IO
, V
IO
= V
IO最大
V
CC
= V
CCmax
; A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC MAX
CE# = V
IL
,
OE # = V
IL
56兆赫
8双
66 , 75 MHz的字
1兆赫
40
20
70
典型值
最大
±1.0
–25
35
±1.0
90
10
50
50
60
30
90
60
60
20
–0.5
0.7× V
IO
–0.2
0.7× V
CC
11.5
0.3× V
IO
V
CC
0.3× V
IO
2.75
12.5
0.45
mA
V
µA
mA
µA
µA
mA
mA
µA
单位
CE# = V
IL
, OE # = V
IL
CE# = V
IL
, OE # = V
IH
, ACC = V
IH
CE# = V
IL
, OE # = V
IH
, ACC = V
IH
V
CC
= V
CC MAX
,CE # = V
CC
±
0.3 V
CE# = V
IL
, OE # = V
IL
RESET # = V
IL
V
IH
= V
CC
±
0.3 V, V
IL
= V
SS
±
0.3 V
ACC = V
HH
加速( ACC脚)高电压I
OH
= -2.0毫安,V
CC
= V
CC分钟
输出高电压
低V
CC
锁定电压( 3 )
注意事项:
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和频率依赖分量。
2. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
3.未经100%测试。
4.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CCmax
.
64
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
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