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S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
文件大小 :   2161 K    
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
测试条件
设备
TEST
CL
注意:
二极管IN3064或同等学历
图12 。
测试设置
测试规范
表44 。
测试条件
输出负载
输出负载电容,C
L
(包括夹具电容)
输入上升和下降时间
输入脉冲电平
输入定时测量参考电平
输出时序测量参考电平
30
5
0.0 V – V
IO
V
IO
/2
V
IO
/2
V
测试规范
40兆赫, 56兆赫
66兆赫, 75MHz的
1 TTL门
100
pF
ns
单位
关键开关波形
波形
输入
稳定
改变从H到L
改变以L至H
不关心,任何允许更改
不适用
改变,状态未知
中心线为高阻抗状态(高阻)
输出
开关波形
V
IO
V
SS
输入
V
IO
/2 V
测量级别
V
IO
/2 V
产量
图13.输入波形和测量水平
66
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
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