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LTC3873ITS8-5  LTC3873IDDB-5  LTC3835IDHC-1-TRPBF  LTC3835IDHC-1  LTC4052-4.2  LTC3890EGN-1TRPBF  LTC4012CUF-3-TRPBF  LTC3890IGN-1  LTC4006EGN-2  LTC3835IGN-1-TRPBF  
S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
文件大小 :   2161 K    
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品牌   SPANSION [ SPANSION ]
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
擦除和编程性能
参数
扇区擦除时间
芯片擦除时间
双字编程时间
加快双字编程时间
加速芯片编程时间
芯片编程时间(注3 )
x32
典型值
(注1 )
1.0
16 MB = 46
32 MB = 78
18
8
16 MB = 5
32 MB = 10
16 MB = 12
32 MB = 24
最大
(注2 )
5
16 MB = 230
32 MB = 460
250
130
16 MB = 50
32 MB = 100
16 MB = 120
32 MB = 240
单位
s
s
µs
µs
s
s
不包括系统级开销(注5 )
前擦除排除00H编程(注4 )
评论
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
典型的编程和擦除时间假定以下条件: 25
°
C, 2.5 V V
CC
, 100K的周期。另外,
编程标准结构假设棋盘图案。
下的145℃ ,V最坏情况条件
CC
= 2.5 V , 100万次。
典型的芯片编程时间比列出的最大芯片编程的时间要少得多。
在嵌入式擦除算法的预编程步骤,所有字节擦除之前为00h 。
系统级的开销是要执行的两个或四个总线周期序列的程序指令所需要的时间。
SEE
有关命令定义的详细信息。
PPBS有100次编程/擦除周期耐力。
闭锁特性
描述
输入电压相对于V
SS
除了在I / O引脚(包括A9 , ACC和WP # )的所有引脚
输入电压相对于V
SS
所有的I / O引脚
V
CC
当前
–1.0 V
–1.0 V
-100毫安
最大
12.5 V
V
CC
+ 1.0 V
100毫安
注意:
包括除V所有引脚
CC
。测试条件: V
CC
= 3.0V,一个销的时间。
PQFP和加固BGA引脚电容
参数符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数说明
输入电容
输出电容
控制引脚电容
测试设置
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
典型值
6
8.5
7.5
最大
7.5
12
9
单位
pF
pF
pF
注意事项:
1.
2.
采样,未经100%测试。
测试条件牛逼
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫。
二○○五年十一月十四日S29CD , G_00_B0
S29CD -G系列闪存
79
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