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S71PL -J基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
内存256M / 128 /三十二分之六十四兆位(16 /8/4 / 2M ×16位) CMOS 3.0
伏只同时操作页面模式闪存
内存和64/32/16/8/4兆位( 4M / 2M / 1M / 512K / 256K X
16位),静态RAM /伪静态RAM
数据表
ADVANCE
信息
请注意,以读者:
进展情况的信息表明,该
文档包含正在开发一个或多个产品信息
在Spansion公司。该信息旨在帮助您评估该产品。
本产品无需联系厂家不要设计。 Spansion公司
保留对本建议的产品修改权利或停止工作
恕不另行通知。
公开号
S71PL-J_00
调整
B
修订
3
发行日期
2006年3月17日
A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒
产品信息在整个产品生命周期的读者或意图规范,在 -
cluding开发,认证,初期生产,满负荷生产。在所有的情况下,但是,
我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息,最终确定自己的DE-前
签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给高亮
点燃他们的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性
cific产品,但并没有承诺任何设计到生产。在doc-提供的信息
输稿带,该名称是可能发生变化,并且在某些情况下,开发产品上
可能会中止。因此, Spansion公司在推进信息放置在下列条件
化的内容:
“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该
信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计
tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一
致力于生产已经发生。此指定涵盖在本产品的几个方面
UCT生命周期,包括产品合格,初始生产,并在随后的阶段
满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术
在初步号文件提出要规范,同时保持这些AS-预期
生产正在考虑pects 。飞索款规定Prelimi-下列条件
进制内容:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。本文件的初步情况显示,产品合格已经完成,
而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中,需要相
保持效率和质量,这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改
由于系统蒸发散变化的技术规范“。
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称(组合提前在 -
形成初步或全部生产) 。这种类型的文件将区分这些产品
和它们的名称在必要时,通常在第一页,订货信息
页面,并与DC特性表和AC擦除和编程表页(表
注释) 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称
改变预期,初步指定从数据表中删除。公称
变化可以包括那些影响订货可用的部件号,如数量
另外的一个速度的选择,温度范围,包类型,或V或缺失
IO
范围内。变化
也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器
RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量,这样子
本文档的序贯版本预计不会改变。但是,印刷或者规格
更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通
销售网络的CE 。
ii
S71PL -J基于MCP的
2006年S71PL - J_00_B3 3月17日,
S71PL -J基于MCP的
堆叠式多芯片产品( MCP )闪存和
内存256M / 128 /三十二分之六十四兆位(16 /8/4 / 2M ×16位) CMOS 3.0
伏只同时操作页面模式闪存
内存和64/32/16/8/4兆位( 4M / 2M / 1M / 512K / 256K X
16位),静态RAM /伪静态RAM
数据表
ADVANCE
信息
特色鲜明
MCP特点
2.7 V至3.1 V电源电压
高性能
- 65纳秒( 65 ns的闪存, 70纳秒PSRAM )
套餐
- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA
- 8 X 11.6 X 1.2毫米64球FBGA
- 8 X 11.6 X 1.4毫米84球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C
= -40 ° C至+ 85°C
概述
该S71PL系列是堆叠式多芯片产品( MCP )封装产品线,由
中:
一个或多个S29PL (同步读/写)闪存存储器芯片
PSRAM和SRAM (见第2页上的“引用的数据表” )
256MB的闪存由两个S29PL127J设备。在这种情况下, CE# f2的用于
访问第二个闪存并没有多余的地址线是必需的。
包括在本文档中的产品列于下表:
闪存密度
32Mb
4兆
8兆
PSRAM的密度
16兆
32 MB
64 MB
S71PL032J40
S71PL032J80
S71PL032JA0
S71PL064J80
S71PL064JA0
S71PL064JB0
S71PL127JB0
S71PL127JC0
闪存密度
32Mb
4兆
SRAM密度(注1 )
8兆
16兆
S71PL032J04
S71PL032J08
S71PL064J08
S71PL064J0A
64Mb
S71PL254JC0
64Mb
128Mb的(注2)
256Mb的(注2)
注意事项:
1.不建议用于新设计;使用基于PSRAM的MCP代替。
2.不建议用于新设计:使用S71PL127N和S71PL256N代替。
公开号
S71PL-J_00
调整
B
修订
3
发行日期
2006年3月17日
本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您进行评价,
审视你们这个产品。本产品无需联系厂家不要设计。 Spansion公司保留变更权或停止工作
在此提出的产品,恕不另行通知。
A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
有关详细规格,请参考下表中列出的各个数据表。
引用的数据表
文件
S29PL-J
PSRAM类型1
PSRAM类型2
8 Mb的PSRAM类型3
16Mb的PSRAM类型3
PSRAM类型4
PSRAM类型5
PSRAM类型6
PSRAM类型7
4兆/ 8 Mb的SRAM类型1
16 Mb的SRAM类型1
SRAM类型4
出版物识别码( PID)的
S29PL-J_M0
psram_12
psram_15
psram_25
psram_06
psram_18
psram_21
psram_14
psram_13
sram_02
sram_06
sram_07
2
S71PL -J基于MCP的
2006年S71PL - J_00_B3 3月17日,
A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
产品选择指南
32MB闪存
设备型号#
S71PL032J04-0B
S71PL032J04-0K
S71PL032J40-0K
S71PL032J08-0B
S71PL032J80-0F
S71PL032J80-Q7
S71PL032J80-QF
S71PL032JA0-0K
S71PL032JA0-QF
S71PL032JA0-0Z
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
65
65
65
65
65
( P) SRAM密度
4M SRAM
4M SRAM
4M PSRAM
8M SRAM
8M PSRAM
8M PSRAM
8M PSRAM
16MB PSRAM
16MB PSRAM
16M PSRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒) PSRAM类型
70
70
70
70
70
70
70
70
70
70
SRAM1
SRAM4
pSRAM4
SRAM1
pSRAM5
pSRAM1
pSRAM3
pSRAM1
pSRAM3
pSRAM7
TSC056
TSC056
TLC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TSC056
TLC056
64MB闪存
设备型号#
S71PL064J08-0B
S71PL064J80-0K
S71PL064J0A-0S
S71PL064JA0-0Z
S71PL064JA0-0B
S71PL064JA0-07
S71PL064JA0-0P
S71PL064JB0-QB
S71PL064JB0-0U
闪存存取时间(纳秒)
65
65
65
65
65
65
65
65
65
( P) SRAM密度
8M SRAM
8M PSRAM
16M SRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
16M PSRAM
32M PSRAM
32M PSRAM
( P) SRAM的访问时间(纳秒)
70
70
70
70
70
70
70
70
70
( P) SRAM型
SRAM1
pSRAM1
SRAM1
pSRAM7
pSRAM3
pSRAM1
pSRAM7
pSRAM2
pSRAM6
TLC056
TSC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
TLC056
2006年3月17日S71PL , J_00_B3
S71PL -J基于MCP的
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