D A T A

中文ê （E T）

（ A D VA ñ权证

在FO R M的T I O N）

5.

订购信息

的顺序号（有效组合）由以下物质形成：

256

P

D0

AJ

B

L

G

3

包装类型

0 =盘

2 = 7英寸磁带和卷轴

3 = 13英寸磁带和卷轴

闪存和DDR SPEED

G = 66 MHz的闪存， 133 MHz的DDR DRAM

C = 80 MHz的闪存， 133 MHz的DDR DRAM

DDR供应商

G = DRAM类型1 x16的DDR DRAM

L = DRAM类型5 x16的DDR DRAM

包修改

G = 133球， 11x10mm ， FBGA MCP

B = 133球， 8x8mm ， FBGA MCP

F = 128球， 12x12mm ， FBGA封装的PoP

包装材料及类型

AJ =超薄细间距BGA无铅LF35 MCP （0.5 mm间距）

KJ =超薄细间距BGA无铅的PoP （0.65 mm间距）

DDR DRAM和数据闪存的密度

D0 = 128 MB DRAM ，无数据闪存

E0 = 256 MB DRAM ，无数据闪存

工艺技术

P = 90纳米的MirrorBit

TM

技术

CODE闪存的密度

512 = 512 MB

256 = 256 MB

128 = 128兆

产品系列

S72NS多芯片产品（ MCP）的

1.8 V复用，软红冬麦，突发模式闪存和DDR DRAM的总线分割

S72NS

有效组合

产品

家庭

代码闪存

密度

（兆）

128

D0

S72NS

256

512

注意事项：

1.包装类型0是标准配置。根据需要指定其他选项。

2. BGA封装标识遗漏领先的“ S”和包装类型的标志，从订购部件号。

3.有效组合列表配置计划在音量此设备支持。请咨询您当地的销售办事处，以确认具体有效的可用性

组合并检查新发布的组合。

P

D0 ， E0

AJG ， KJF

AJB ， KJF

G，L

G，C

过程

技术

DRAM

密度

（兆）

包装类型/

材料

闪烁& DDR

速度

G，C

0, 2, 3

（注1 ）

填料

TYPE

DDR供应商

2006年S72NS - P_00_01 9月6日，

S72NS -P基的MCP / POPS

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