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S72NS -P基的MCP / POPS
的MirrorBit
闪存和DRAM
128/256/512 MB( 8/16/32的M× 16位) , 1.8伏只,
多路同步读/写,突发模式闪存
内存
128/256 MB( 8/16的M× 16位) DDR DRAM的总线分割
数据表
(高级信息)
S72NS -P基的MCP / POPS封面
请注意,以读者:
这份文件指出关于Spansion公司目前的技术规格
本文描述的产品(S) 。本文描述的每一个产品可以被指定为超前信息,
初步或全面投产。看
请注意在数据表牌号
对于定义。
公开号
S72NS-P_00
调整
01
发行日期
2006年9月6日
D A T A
中文ê (E T)
( A D VA ñ权证
I N FO R M的T I O N)
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步的名称,提醒读者
产品信息或意图规范整个产品生命周期,包括研发,
资质,初始生产,并全面投入生产。在所有的情况下,但是,我们鼓励读者以验证
他们有他们的定稿之前的设计的最新信息。 Spansion公司的数据下面的说明
表名称使用这里介绍要突出自己的存在和定义。
超前信息
的超前信息指定表示Spansion公司正在开发的一个或多个特定
产品,但并没有承诺任何设计到生产。呈现在文档中使用这些信息
指定有可能发生改变,并且在某些情况下,开发的产品可中止。 Spansion公司
因此,公司应放置超前信息内容如下条件:
“本文件包含有关正在开发Spansion公司的一个或多个产品信息
该信息旨在帮助您评估该产品。本产品无不要设计
联系工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一个承诺
生产已经发生。该标识包含几个方面的产品生命周期,包括
产品合格,最初的生产,并且在发生的制造过程中的后续阶段
之前满负荷生产的实现。更改技术规格的初步介绍
文件应同时保持生产这些方面正在考虑的期望。 Spansion公司
放置后,初步含量满足以下条件:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。本文件的初步情况显示,产品合格已
完成,而且最初的生产已经开始。由于制造过程中的各个阶段那
需要维护的效率和质量,这个文件可以通过后续版本或修订
修改由于改变了技术规范。 “
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称的组合(超前信息,
初步或全部生产) 。这种类型的文件区分这些产品和它们的名称
在必要时,通常第一个页面时,订购信息页面,页面与DC
特性表和AC擦除和编程表(表中的说明) 。第一个免责声明
页面是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称变化
预计,初步指定从数据表中删除。标称变化可能包括
那些影响订货可用的部件号,诸如速度的增加或删除的数量
选项​​,使用温度范围,封装类型,或V
IO
范围内。变化也可能包括那些需要澄清
说明或者纠正拼写错误或不正确的规范。 Spansion公司采用以下
条件,这一类材料:
“这份文件指出关于Spansion公司产品目前的技术规范( S)
本文中所描述。 Spansion公司认为该产品已足够生产量等
本文档的后续版本预计不会改变。但是,印刷或者
规格更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的Spansion公司的销售办事处。
ii
S72NS -P基的MCP / POPS
2006年9月6日S72NS - P_00-01
S72NS -P基的MCP / POPS
的MirrorBit
闪存和DRAM
128/256/512 MB( 8/16/32的M× 16位) , 1.8伏只,
多路同步读/写,突发模式闪存
内存
128/256 MB( 8/16的M× 16位) DDR DRAM的总线分割
数据表
(高级信息)
特点
1.7 V至1.95 V电源电压
连拍速度
- 闪光= 66兆赫, 80兆赫
- DRAM = 133 MHz的
套餐
- 11.0 X 10.0毫米, 133球MCP
- 8.0 ×8.0毫米, 133球MCP
- 12.0 X 12.0毫米, 128球的PoP
-25 °C工作温度为+ 85°C
概述
本文件包含的S72NS -P堆叠MCP产品的信息。请参阅S29NS -P数据表( S29NS - P_00 )
对于闪存组件的完整的电气规范。
该S72NS系列产品堆叠( MCP和PoP点)的产品线,并包括:
NS系列复闪存存储器模
DDR DRAM
包括在本文档中的产品列于下表中。
DRAM密度
闪存密度
128 MB
256 MB
512 MB
128 MB
S72NS128PD0
S72NS256PD0
S72NS512PD0
S72NS512PE0
256 MB
有关详细规格,请参阅单独的数据表。
密度
128
DRAM5
SDRAM_07
生产厂家
DRAM1
公开号
SDRAM_03
密度
256
生产厂家
DRAM1
DRAM5
公开号
待定
SDRAM_11
公开号
S72NS-P_00
修订版01
发行日期
2006年9月6日
本文件包含有关正在开发中的一个或多个产品在Spansion公司的信息旨在帮助您评估该产品的信息。请不要在设计
该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
D A T A
中文ê (E T)
( A D VA ñ权证
I N FO R M的T I O N)
1.
产品选择指南
设备OPN
S72NS128PD0AJBGG
S72NS128PD0AJBGC
128 MB
S72NS128PD0AJBLG
S72NS128PD0AJBLC
S72NS128PD0KJFGG
S72NS128PD0KJFGC
128 MB
S72NS128PD0KJFLG
S72NS128PD0KJFLC
S72NS256PD0AJBGG
S72NS256PD0AJBGC
256 MB
S72NS256PD0AJBLG
S72NS256PD0AJBLC
S72NS256PD0KJFGG
S72NS256PD0KJFGC
256 MB
S72NS256PD0KJFLG
S72NS256PD0KJFLC
S72NS512PD0AJGGG
S72NS512PD0AJGGC
512 MB
S72NS512PD0AJGLG
S72NS512PD0AJGLC
S72NS512PD0KJFGG
S72NS512PD0KJFGC
512 MB
S72NS512PD0KJFLG
S72NS512PD0KJFLC
S72NS512PE0AJGGG
S72NS512PE0AJGGC
512 MB
S72NS512PE0AJGLG
S72NS512PE0AJGLC
S72NS512PE0KJFGG
S72NS512PE0KJFGC
512 MB
S72NS512PE0KJFLG
S72NS512PE0KJFLC
256 MB
66
DRAM5
80
256 MB
66
DRAM5
80
66
DRAM1
80
133
12.0 X 12.0毫米128球的PoP
128 MB
66
DRAM5
80
66
DRAM1
80
133
11.0 X 10.0毫米133球MCP
128 MB
66
DRAM5
80
66
DRAM1
80
133
12.0 X 12.0毫米128球的PoP
128 MB
66
DRAM5
80
66
DRAM1
80
133
11.0 X 10.0毫米133球MCP
128 MB
66
DRAM5
80
66
DRAM1
80
133
12.0 X 12.0毫米128球的PoP
128 MB
66
DRAM5
80
66
DRAM1
80
133
8.0× 8.0mm133球MCP
128 MB
66
DRAM5
80
66
DRAM1
80
133
12.0 X 12.0毫米128球的PoP
FL灰
密度
DDR DRAM
密度
闪存速度
(兆赫)
66
DRAM1
80
133
8.0× 8.0mm133球MCP
DDR DRAM
速度(MHz )
供应商
2
S72NS -P基的MCP / POPS
2006年S72NS - P_00_01 9月6日,
D A T A
中文ê (E T)
( A D VA ñ权证
在FO R M的T I O N)
2.产品结构图
F- RST #
F- ACC
F- WP #
F- CE #
F- OE #
F- WE#
AVD #
F- V
SS
F2-CE#
RST #
WP #
CE#
OE #
WE#
AVD #
V
SS
A15-A0
DQ15-DQ0
ADQ15-ADQ0
MUX
FL灰
内存
NS -P
CLK
RDY
F- CLK
F- RDY
奥玛仕 - A16
V
CC
V
CCQ
奥玛仕 - A16
F- V
CC
F- V
CCQ
D- RAS #
D- CAS #
D-BA0
D-BA1
D- CKE
D- WE#
D- CE #
D-澳玛 - D- A0
D- V
CC
D- V
CCQ
RAS #
CAS #
BA0
BA1
CKE
WE#
CE#
CLK
CLK #
DQS0
DQS1
D- CLK
D- CLK #
D- LDQS
D- UDQS
D- LDQM
D- UDQM
D- TEST
D- DQ15 - D- DQ0
D- V
SS
D- V
SSQ
DDR
DRAM
内存
LDQM
UDQM
TEST
DQ15-DQ0
V
SS
V
SSQ
V
CC
V
CCQ
注意事项:
1.澳玛表示地址的最高位内存组件:
一。 AMAX = A24的NS512P , A23为NS256P , A22的NS128P
B 。 AMAX = A11为128 MB DDR DRAM
Ç 。 AMAX = A12为256Mb的DDR DRAM
2.对于Flash , A15 - A0绑定到DQ15 - DQ0 。
2006年S72NS - P_00_01 9月6日,
S72NS -P基的MCP / POPS
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