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S75PL127J的MCP
堆叠式多芯片产品( MCP )
代码闪存, PSRAM和数据闪存128M ( 8M ×16位CMOS电压3.0
只是,同步操作,页面模式的代码闪存,具有
64M / 32M ( 4M / 2M ×16位), PSRAM和512M / 256 / 128M ( 32M / 16M / 8M X 16
比特)的数据闪存
ADVANCE
信息
数据表
MCP特点
2.7至3.1伏的电源电压
高性能
- 65ns的PL -J ,为70ns的PSRAM和110ns的为GL -N
- 页面的访问 - 为25ns
- 9× 12毫米84球FBGA
工作温度
- -25 ° C至+ 85°C (无线)
其它温度等级选项
- 请通过当地的销售与厂家联系
支持团队
概述
该75PL系列是堆叠式多芯片产品( MCP )封装产品线
和由以下组成:
一个S29PL127J基于代码闪存设备(S )
PSRAM
一个或多个S29GLxxxN基于数据闪存设备(S )
32M PSRAM
代码闪存
密度
128M
128M
S75PL127JBD
数据闪存
256M
S75PL127JBE
512M
S75PL127JBF
64M PSRAM
代码闪存
密度
128M
128M
S75PL127JCD
数据闪存
256M
S75PL127JCE
512M
S75PL127JCF
公开号
S75PL127J_00
调整
A
修订
1
发行日期
2005年1月6日
A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
S75PL127J MCP的................................................ .1
概述................................................ 1 ...
产品选择指南............................................ 5
MCP框图............................................... 6
连接图................................................ 7
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
订购信息............................................... 9
有效组合................................................ 0.10
数据: S29GL128N ............................................... ................................................. 10
数据: S29GL256N ............................................... ................................................. 11
数据: S29GL512N ............................................... ................................................ 12
通用闪存接口( CFI ) ............ 40
低VCC写禁止.............................................. .................................. 39
写脉冲“毛刺”保护............................................ ................... 39
逻辑禁止................................................ .................................................. 39
上电写禁止............................................. .................................. 39
表9. CFI查询标识字符串................................ 40
表10.系统接口字符串........................................ 41
表11.设备几何定义................................... 41
表12.主要供应商特定的扩展查询................ 42
命令定义............................................. 44
读阵列数据............................................... ............................................ 44
复位命令................................................ ................................................. 44
自选命令序列............................................... ..................... 45
进入SecSi ™部门/退出SecSi部门命令序列................ 45
Word程序命令序列.............................................. ............. 45
解锁绕道命令序列.............................................. .......... 46
S29PL127J / S29PL064J / S29PL032J的MCP ..... 13
概述................................................ 0.15
零延迟....................... 15同步读/写操作
页面模式功能............................................... ............................................. 15
标准闪存产品特点.............................................. ...................... 15
芯片擦除命令序列.............................................. ..................... 47
扇区擦除命令序列.............................................. .................. 48
擦除暂停/删除恢复命令............................................ ...... 49
命令定义表............................................... .......................... 50
图4.程序运行............................................. .. 47
图5.擦除操作............................................. ...... 49
表13.内存阵列命令定义...................... 50
表14.扇区保护命令定义.................. 51
引脚说明................................................ ......... 17
设备总线操作............................................ 18
表1. PL127J设备总线操作................................ 18
对于读阵列数据要求............................................. ............ 18
随机读取(非页读) .......................................... ...................... 18
页面模式读取............................................... ............................................... 19
同时读/写操作............................................. .............. 19
写操作状态........................................ 52
DQ7 :数据#投票............................................. ............................................... 52
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ............................................... 55
DQ6 :切换位I ............................................. .................................................. 55
DQ2 :触发位II ............................................. ................................................. 56
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ......................... 56
DQ5 :超过时序限制............................................. ........................... 57
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................................... 57
图7.切换位算法............................................ 。 56
图6.数据#投票算法........................................ 54
表2页选择............................................. ............. 19
表3.银行选择............................................. ............. 19
写命令/命令序列............................................. ... 20
加快程序运行............................................... ............... 20
自选功能................................................ .................................... 20
待机模式.......................................................................................................20
自动休眠模式............................................... ....................................... 21
RESET # :硬件复位引脚............................................ ............................. 21
输出禁止模式............................................... ......................................... 21
表4. PL127J部门架构..................................... 22
表5. SecSiTM扇区地址...................................... 27
表6.自动选择代码(高压法) .................. 28
表7. PL127J引导扇区/扇区块的地址
保护/ unprotection的............................................... ...... 29
表8.扇区保护计划..................................... 30
表15.写操作状态......................................... 58
图8.最大过冲波形............................ 59
绝对最大额定值................................... 59
经营范围................................................ ... 60
工业级(I )设备............................................. ............................................. 60
无线设备................................................ ................................................ 60
电源电压...................................................................................................60
自选模式................................................ ................................................. 27
选择一个扇区保护模式............................................. ................ 30
直流特性................................................ .. 61
表16. CMOS兼容............................................. ... 61
扇区保护................................................ ... 30
扇区保护计划.................................. 30
密码扇区保护............................................... ............................ 30
WP #硬件保护.............................................. .............................. 30
选择一个扇区保护模式............................................. ................ 30
持久保护位( PPB ) ............................................ ............................ 31
持久保护位锁定( PPB锁) .......................................... ........ 31
持久扇区保护模式锁定位........................................ 33
密码和密码模式锁定位............................................ .... 34
64位密码...................................................................................................34
写保护( WP # ) ............................................ ............................................ 34
持久保护位锁定.............................................. ...................... 35
高压扇区保护.............................................. ........................ 35
临时机构撤消............................................... .......................... 37
AC特征................................................ .... 62
测试条件................................................ .................................................. 62
开关波形................................................ ......................... 63
图9.测试设置............................................. ........... 62
表17.测试规范............................................. .. 62
表18.键,开关波形.......................... 63
图10.输入波形和测量水平............ 63
表19.只读操作.......................................... 64
图11.读操作时序...................................... 64
图12.页读操作时序............................... 65
表20.硬件复位( RESET # ) .................................... 65
图13.复位时序............................................. ....... 66
表21.擦除和编程操作.............................. 67
图14.程序操作时序.................................
图15.加速程序时序图....................
图16.芯片/扇区擦除操作时序....................
图17.返回到后端的读/写周期时序.................
图18.数据#投票计时(在嵌入式
算法) ................................................ .......................
图19.触发位计时(在嵌入式
算法) ................................................ .......................
图20. DQ2与DQ6 ........................................... ..........
68
68
69
69
70
70
71
持久扇区保护................................. 31
VCC变化斜率................................................ .................................................. 63
读操作................................................ ................................................. 64
密码保护模式................................... 33
重置....................................................................................................................... 65
擦除/编程操作.............................................. ................................ 67
时序图................................................ ................................................. 68
图1.在系统扇区保护/部门
解除保护算法................................................ ...... 36
图2.临时机构撤消操作.................... 37
SecSi ™ (安全硅)行业闪存地区........................... 37
工厂锁定的区域( 64个字) .......................................... .................... 37
客户可锁定区域( 64个字) .......................................... ............ 38
SecSi扇区保护位.............................................. .......................... 38
硬件数据保护............................................... ............................... 39
图3. SecSi部门保护验证..................................... 39
2
2004年27631A5 9月28日,
A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
保护/撤消............................................... ... 71
表22.临时机构撤消................................. 71
图21.临时机构撤消时序图.......... 71
图22.行业/部门块保护和撤消
时序图................................................ ................. 72
表23.备用CE #控制的擦除和编程
操作................................................. ...................... 73
表24.备用CE #控制的写入(擦除/编程)操作
化时序................................................ ..................... 74
表25.擦除和编程性能.................... 75
表11.主要供应商特定的扩展查询............... 126
命令定义.......................................... 126
读阵列数据............................................... ........................................... 127
复位命令................................................ ................................................ 127
自选命令序列............................................... .................... 127
进入安全硅行业/退出安全硅
部门命令序列............................................... ............................ 128
Word程序命令序列.............................................. ............ 128
解锁绕道命令序列.............................................. ......... 129
写缓冲区编程............................................... .......................... 129
加快程序................................................ ................................... 130
程序挂起/恢复程序命令序列................... 132
控制擦除操作............................................... ........................... 73
BGA引脚电容............................................ 75
S29GLxxxN的MirrorBit
TM
闪存系列........... 77
概述................................................ 78
产品选择指南.......................................... 80
框图................................................ ........ 81
引脚说明................................................ ....... 82
逻辑................................................符号.......... 83
S29GL512N ........................................................................................................83
S29GL256N .......................................................................................................83
S29GL128N .......................................................................................................83
图1.写缓冲区编程操作.................... 131
图2.程序运行............................................. 132
图3.程序挂起/恢复程序...................... 133
图4.擦除操作............................................. 135 ....
芯片擦除命令序列.............................................. .................... 133
扇区擦除命令序列.............................................. ................. 134
设备总线操作........................................... 84
表1.设备总线操作........................................... 84
VersatileIO
TM
(V
IO
)控制................................................ ............................ 84
对于读阵列数据要求............................................. ........... 84
页面模式读取............................................... .............................................. 85
写命令/命令序列............................................. ... 85
写缓冲器................................................ .................................................. 85 ..
加快程序运行............................................... ............... 85
自选功能................................................ .................................... 86
待机模式...................................................................................................... 86
自动休眠模式............................................... ...................................... 86
RESET # :硬件复位引脚............................................ ............................ 86
输出禁止模式............................................... ........................................ 87
擦除暂停/删除恢复命令............................................ ..... 135
锁定寄存器命令集定义............................................. ...... 136
密码保护命令集定义..................................... 136
非易失性扇区保护命令集定义................. 138
全球挥发性扇区保护冻结命令集..................... 138
挥发性扇区保护命令集............................................. 139 ....
安全硅行业进入命令............................................. 140 .......
安全硅行业退出命令............................................. .......... 140
命令定义................................................ ....................................... 141
表12. S29GL512N , S29GL256N , S29GL128N
命令定义, X16 .............................................. 141 ..
写操作状态............................................... ................................... 144
DQ7 :数据#投票............................................. .............................................. 144
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ............................................. 145
DQ6 :切换位I ............................................. ................................................. 146
图5.数据#轮询算法...................................... 145
图6.切换位算法........................................... 147
表2扇区地址表, S29GL512N ........................... 87
表3扇区地址表, S29GL256N .......................... 102
表4.扇区地址表, S29GL128N .......................... 109
表5.自动选择码, (高压法) ............... 114
DQ2 :触发位II ............................................. ................................................ 147
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........................ 148
DQ5 :超过时序限制............................................. .......................... 148
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .................................. 148
DQ1 :写入到缓冲区中止.......................................... ................................ 149
自选模式................................................ ................................................ 113
表13.写操作状态....................................... 149
图7.最大负过冲波形.............. 150
图8.最大正过冲波形................ 150
扇区保护................................................ ............................................... 114
持久扇区保护............................................... ....................... 114
密码扇区保护............................................... ........................ 114
WP #硬件保护.............................................. .......................... 114
选择一个扇区保护模式............................................. ........... 114
高级扇区保护............................................... ........................... 115
锁定注册....................................................................................................... 115
持久扇区保护............................................... ........................... 116
动态保护位( DYB ) ............................................ ...................... 116
持久保护位( PPB ) ............................................ ..................... 117
持久保护位锁定( PPB锁定位) ..................................... 117
绝对最大额定值................................ 150
经营范围................................................ 。 150
直流特性................................................第151
测试条件................................................ ...... 152
图9.测试设置............................................. ........... 152
表14.测试规范............................................. 152
表6.锁定寄存器............................................. .......... 116
关键开关波形.............................. 152
AC特征................................................ 0.153
只读操作, S29GL128N , S29GL256N , S29GL512N .......... 153
图11.读操作时序.................................... 154
图12.页读时序........................................... 154
图10.输入波形和测量水平.......... 152
表7.扇区保护计划.................................... 118
通用闪存接口( CFI ) ............ 122
持久保护模式锁定位............................................. ............. 118
密码扇区保护............................................... ............................ 119
密码和密码保护模式锁定位............................... 119
64位密码.............................................. .................................................. 0.120
持久保护位锁定( PPB锁定位) ......................................... 120
安全硅扇区闪存地区.......................................... 120
写保护( WP # ) ............................................ .......................................... 122
硬件数据保护............................................... ............................. 122
低VCC写禁止.............................................. ................................ 122
写脉冲“毛刺”保护............................................ .................. 122
逻辑禁止................................................ ................................................. 122
上电写禁止............................................. ................................. 122
表8. CFI查询标识字符串............................... 123
表9.系统接口字符串........................................ 124
表10.设备几何定义................................. 125
硬件复位( RESET # ) ............................................ ................................. 155
擦除和编程操作, S29GL128N , S29GL256N ,
S29GL512N ..........................................................................................................156
图14.程序操作时序...............................
图15.加速程序时序图..................
图16.芯片/扇区擦除操作时序..................
图17.数据#投票计时(在嵌入式
算法) ................................................ .....................
图18.触发位计时(在嵌入式算法)
图19. DQ2与DQ6 ........................................... ........
图13.复位时序............................................. ..... 155
157
157
158
159
160
160
备用CE #控制的擦除和编程操作 -
S29GL128N , S29GL256N , S29GL512N ............................................. ............ 161
2004年9月28日27631A5
3
A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
擦除和编程性能.............. 163
引脚TSOP和BGA封装电容......... 163
图20.备用CE #控制的写(擦除/
程序)操作时序.............................................. 162
PSRAM 2型............................................... 0.164
功能................................................. ............... 164
产品信息............................................ 164
引脚说明................................................ ..... 164
上电顺序............................................. 165
时序图................................................ ... 166
上电............................................................................................................ 166
图21.上电1 ( CS1 #控制) ............................ 166
图22.上电2 ( CS2控制) .............................. 166
PSRAM类型6 ............................................... 0.174
功能................................................. ................
引脚说明................................................ .....
功能说明.........................................
绝对最大额定值................................
DC推荐工作条件
( TA = -40 ° C至85°C ) ..................................... .......
DC特性(Ta = -40 ° C至85°C ,
VDD = 2.6〜 3.3 V ) (见注3 〜4 ) ................
电容( TA = 25 ° C,F = 1兆赫) ....................
AC特性和工作
情况................................................. ............
图29.定时写周期的波形( 3 )
( CS2控制) .............................................. ............... 173
图30.定时写周期的波形( 4 ) ( UB # , LB #
控制) ................................................ ..................... 173
174
174
175
175
175
176
176
176
功能说明........................................ 166
................................. 167绝对最大额定值
DC推荐工作条件......... 167
电容( TA = 25 ° C,F = 1兆赫) .................... 167
DC和工作特性..................... 167
交流工作条件................................... 169
常见.............................................................................................................. 167
16M PSRAM .........................................................................................................168
32M PSRAM ........................................................................................................168
64M PSRAM ........................................................................................................ 169
测试条件(测试负载和测试输入/输出参考) ....... 169
ACC特性(Ta = -40 ° C至85°C ,V
CC
= 2.7〜 3.1 V) ........ 170
图23.输出负载............................................. ........ 169
AC测试条件.............................................. 177
时序图................................................ ... 178
读时序.......................................................................................................178
写时序................................................ .................................................. 180 ..
图1.读周期............................................. ........... 178
图2页读周期( 8个字访问) ....................... 179
图3.写周期# 1 ( WE#控制) (见注8 ) ...... 180
图4.写周期# 2 ( CE #控制) (见注8 ) ....... 181
图5.深度掉电时序.................................... 181
图6.上电时序........................................... ..... 181
图7.阅读.............................................. .................. 182
( TA = -40 ° C至85°C , VDD = 2.6〜 3.3 V ) (见注5 〜11) ............ 176
时序图................................................ 171 ....
读时序....................................................................................................... 171
图24.时序读周期的波形( 1 ) ...................... 171
图25.时序读周期的波形( 2 ) ...................... 171
图26.时序读周期的波形( 2 ) ...................... 171
图27.写周期# 1 ( WE#控制) ........................ 172
图28.写周期# 2 ( CS1 #控制) ....................... 172
深度掉电时序............................................. ................................. 181
上电时序.............................................. .................................................. 181
地址偏移的规定.............................................. ............................. 182
读...................................................................................................................182
写.................................................................................................................182
写时序................................................ .................................................. 172 ..
修订摘要......................................... 183
图8.写.............................................. .................. 182
4
2004年27631A5 9月28日,
P ř Ë L I M I一RŸ
产品选择指南
PL127J
ACCESS
时报讯( NS )
PSRAM
数据
PSRAM
ACCESS
存储
密度时间(纳秒)供应商密度
32 MB
65
64 MB
70
6类
TYPE 2
6类
TYPE 2
6类
70
64 MB
TYPE 2
6类
TYPE 2
6类
70
64 MB
TYPE 2
6类
TYPE 2
512 MB
(110ns)
9x12毫米84球FBGA
256 MB
(110ns)
9x12毫米84球FBGA
128 MB
(110ns)
9x12毫米84球FBGA
设备型号#
S75PL127JBD-KU
S75PL127JBD-KB
S75PL127JCD-KU
S75PL127JCD-KB
S75PL127JBE-KU
S75PL127JBE-KB
S75PL127JCE-KU
S75PL127JCE-KB
S75PL127JBF-KU
S75PL127JBF-KB
S75PL127JCF-KU
S75PL127JCF-KB
32 MB
65
32 MB
65
2005年1月6日S75PL127J_00_A1_E
S75PL127J的MCP
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