概述
规格参数
数据手册1N3885 概述
Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 100V V(RRM) 整流二极管
1N3885 规格参数
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.4 V |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 12 A | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
1N3885 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 1N3886 | SSDI | Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 200V V(RRM) | 获取价格 |
|
| 1N3888 | SSDI | Rectifier Diode, 1 Element, 12A, 400V V(RRM) | 获取价格 |
|
| 1N3889 | INFINEON | FAST RECOVERY DIODES | 获取价格 |
|
| 1N3889 | MICROSEMI | Fast Recovery Rectifier | 获取价格 |
|
| 1N3889 | VISHAY | Fast Recovery Diodes(Stud Version) | 获取价格 |
|
| 1N3889 | NJSEMI | STUD MOUNTED FAST RECOVERY POWER RECTIFIERS | 获取价格 |
|
| 1N3889 | AMERICASEMI | High Power- Fast Recovery Rectifiers | 获取价格 |
|
| 1N3889A | NJSEMI | SILICON POWER RECTIFIER | 获取价格 |
|
| 1N3889A | MOTOROLA | 12A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA | 获取价格 |
|
| 1N3889AE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | 获取价格 |
|
1N3885 相关文章
Bourns 密封通孔金属陶瓷微调电位计产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 6
Bourns 精密环境传感器产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 9
Bourns POWrTher 负温度系数(NTC)热敏电阻手册 (英文版)
- 2024-09-20
- 8
Bourns GMOV 混合过压保护组件产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 6
