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512千位( 64K ×8 )页面模式的EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512512Kb页面模式闪速存储器
数据表
产品特点:
•单电压读写操作
- 5.0V -仅供SST29EE512
- 3.0-3.6V的SST29LE512
- 2.7-3.6V的SST29VE512
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 工作电流:20 mA(典型值)的5V和10毫安
(典型值)为3.0 / 2.7V
- 待机电流: 10 μA (典型值)
•快速页写操作
- 每个页, 512页128字节
- 页面 - 写周期: 5毫秒(典型值)
- 完整的存储器重写: 2.5秒(典型值)
- 有效字节写周期时间: 39 μs(典型值)
•快速读取访问时间
- 5.0V的管理: 70和90纳秒
- 3.0-3.6V操作: 150和200纳秒
- 2.7-3.6V操作: 200和250纳秒
•锁存地址和数据
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•写检测结束
- 触发位
- 数据#投票
•硬件和软件数据保护
•产品标识可通过以下方式访问
软件操作
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (8毫米X 14毫米尺寸8mm x 20毫米)
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST29EE / LE / VE512为64K ×8 CMOS ,页写
的EEPROM与SST专有的制造,高
高性能CMOS SuperFlash技术。在不分流
栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现
更好的可靠性和可制造与比较
另一种方法。该SST29EE / LE / VE512写
与单个电源。内部擦除/编程是
对用户透明。该SST29EE / LE / VE512 CON-
形成JEDEC标准引脚排列字节宽的回忆。
拥有高性能的页面写的SST29EE /
LE / VE512提供39微秒典型的字节写入时间。
整个存储器,即, 64K字节,可以被写入页面级
逐页在短短2.5秒时,在使用界面
功能,如翻转位或数据#投票指示
在完成一个写周期。为了防止inad-
vertent写的SST29EE / LE / VE512具有片
硬件和软件数据保护方案。
设计,制造和测试了一个宽光谱
的应用中, SST29EE / LE / VE512提供与
10000次保证页面写的耐力。
数据保留的额定功率为100年以上。
该SST29EE / LE / VE512适合于应用
需要程序方便和经济的升级,
配置或数据存储器。对于所有系统应用
中,请在SST29EE / LE / VE512显著改善per-
性能和可靠性,同时降低功耗
消费。该SST29EE / LE / VE512提高使用灵活
性,同时降低了成本,程序,数据和组态
配给存储应用。
为了满足高密度的表面安装的要求,
SST29EE / LE / VE512提供32引脚PLCC和32
引脚TSOP封装。 A 600密耳, 32引脚PDIP封装
也可提供。参见图1 ,图2和3为插脚引线。
设备操作
SST的页面模式的EEPROM提供电路中的电
写能力。该SST29EE / LE / VE512不需要
单独的擦除和编程操作。国内
定时写周期执行两个擦除和编程传输
parently给用户。该SST29EE / LE / VE512具有行业
试着标准可选软件数据保护,这SST
建议总是被激活。该SST29EE / LE /
VE512与行业标准兼容的EEPROM
引脚和功能。
©2001硅存储技术公司
S71060-06-000 6/01
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1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。
512 Kbit的页面模式的EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
数据表
在SST29EE / LE / VE512的读操作是CON-
通过CE#和OE #受控,都具有很低的系统
以获得从所述输出数据。 CE#用于器件
选择。当CE#为高电平时,芯片被取消选中,
只有待机功耗。 OE#为输出控制
并用于从所述门控输出引脚的数据。数据总线
处于高阻抗状态,当CE#或OE #为高电平。
请参考更多详细信息的读周期时序图
(图4) 。
由一个特定的3字节装入序列,允许
写选定的页面,将离开SST29EE /
LE / VE512保护的页面,写结尾。该
页面加载周期由负载1〜 128个字节的数据
到页缓冲器。内部写周期包括的
T
BLCO
超时和写入定时器操作。在
写操作,唯一有效的读操作是数据#投票和
触发位。
页面 - 写操作允许多达128的装载
数据的字节数进SST29EE的页缓冲器/ LE /
VE512前内部写周期的开始。能很好地协同
荷兰国际集团的内部写入周期中,所有的数据在页面缓冲器是
同时被写入到存储器阵列。因此,该
SST29EE / LE的页面写入功能/ VE512允许
整个存储器写入在短短的2.5秒。能很好地协同
荷兰国际集团内部写周期,主机可以自由地执行额外
tional任务,比如抓取来自其他地点的数据
该系统设置写入到下一个页面。在每
页面 - 写操作中,所有被加载到字节
页缓冲器必须具有相同的页面地址,例如甲
7
至A
16
。不加载用户数据的字节将被令状
10为FFH 。
请参阅图5和图6为页 - 写周期时序dia-
克。如果完成了三字节的SDP负载的后
序或初始字节负载周期,主机加载一个仲
一个字节的负载周期时间内OND字节到页缓冲器
(T
BLC
)为100μs时, SST29EE / LE / VE512会留在
页面加载周期。附加的字节,然后装入次连续
tively 。页面加载周期将在没有额外终止
tional字节装入内200 μs的页缓冲器
(T
BLCO
)从最后的字节装载周期,也就是说,不存在后续的
WE#或CE #高到低在最后一个上升沿转变
的WE#或CE # 。在页缓冲器中的数据可以通过改变
随后的字节负载循环。可以在页面加载阶段
无限期地继续下去,只要主机继续加载
为100μs的字节装载周期时间内的设备。该
页被加载是由页地址确定
的最后一个字节加载。
本页面写入到SST29EE / LE / VE512要经常
采用JEDEC标准的软件数据保护( SDP )
3字节的命令序列。该SST29EE / LE / VE512
包含可选的JEDEC核准的软件数据亲
tection方案。 SST建议SDP永远是
使能,由此,写入操作的描述将
利用使能的SDP格式进行说明。
三字节
SDP启用和SDP写命令是相同的;
因此,任何时候发出SDP写命令,
软件数据保护,自动保证。
第一次的三字节的SDP给出命令,该设备
成为SDP启用。随后发行的同
命令绕过该页面作为数据保护
写的。在所希望的页,写结束时,整个
设备仍然受保护。有关更多说明,
请参阅应用笔记
正确使用
JEDEC标准软件数据保护
保护
对无意识使用单电源时
供应闪存。
的写操作包括三个步骤。步骤1是
软件数据保护3字节装入序列。
步骤2是字节负载周期的页缓冲器
SST29EE / LE / VE512 。步骤1和步骤2使用相同的时间
对于这两种操作。第3步是内部控制的写
周期为写入页缓冲器加载到所述数据
存储器阵列为非易失性存储。期间都在SDP
3字节装入序列和字节负载周期内,
地址是由在CE#的下降沿锁存或
WE# ,最后的为准。该数据由利培锁存
荷兰国际集团的CE#或WE#边沿,以先到为准。该
内部写周期是通过T启动
BLCO
之后,定时器
上升WE#或CE # ,以先到者为准的边缘。该
写周期,一旦启动,将继续完成,典型
美云在5毫秒。参见图5和图6为WE#和CE #
控制页面 - 写周期的时序图和图
15和17的流程图。
写操作有三个功能循环:该软
洁具数据保护负载序列,页面加载的过程,
和内部写周期。该软件数据保护
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软件芯片擦除
该SST29EE / LE / VE512提供了全片擦除操作,
这使用户可以同时清除整个
存储器阵列的“1”状态。这是有用的,当整个
设备必须快速擦除。
通过使用启动软件芯片擦除操作
具体为6个字节装入序列。装载序列后,
该器件进入内部定时的周期相似,
写周期。在擦除操作,唯一有效的读
是触发位。见装载序列表4 ,图10
时序图,图19为流程图。
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512 Kbit的页面模式的EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
数据表
写操作状态检测
该SST29EE / LE / VE512提供了两种软件方法来
检测完成一个写周期,为了优化
该系统写周期时间。该软件检测
包含两个状态位:数据#查询( DQ
7
),并触发位
( DQ
6
) 。写检测模式结束后启用
WE#或CE #上涨以先到为准,从而启动
内部写周期。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此,无论是数据#查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况,系统可以有可能
获得一个错误的结果,即,有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥,如果错误的结果发生时,软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两(2)倍。如果两个读数是有效的,则
设备已完成写周期,否则rejec-
化是有效的。
写禁止模式:强制OE #低, CE #高或WE#
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
软件数据保护( SDP )
该SST29EE / LE / VE512提供了JEDEC核准
所有的数据替代方案可选软件数据保护方案
ATION操作,即写和芯片擦除。与此
方案中,任何写操作需要包含的
一系列的三个字节装入操作的数据先于
装入操作。三个字节装入序列用于
启动写周期,从提供最佳的保护
意外的写操作,如系统加电时
或断电。该SST29EE / LE / VE512发货
与软件数据保护禁用。
软件保护方案可以通过硐启用
荷兰国际集团一个3字节的序列的装置,页级中
负载循环(图5和6)。该设备将被自动
matically设置到数据保护模式。任何后续
写操作都需要在前面的三字节
序列。请参阅表4为特定的软件命令
代码和图5和6的时序图。设置
器件进入未受保护模式中,一个6字节的序列
是必须的。请参阅特定代码表4和图9
为时序图。如果一个写操作时试图SDP是
启用该设备将处于不可访问状态〜
300微秒。 SST推荐软件数据保护
总是被激活。参见图17的流程图。
该SST29EE / LE / VE512软件数据保护是一个
全局命令,保护(或解除)中的所有页面
整个存储器阵列一旦启用(或禁用) 。 There-
使用SDP用于单页,写使SDP的前
整个阵列。单页本身不能
SDP启用或禁用,但页面地址
在SDP写操作期间将被写入。
单电源供电,可重编程非易失性memo-
里斯可能会无意中改变。 SST强烈recom-
门兹的软件数据保护( SDP )总是
启用。该SST29EE / LE / VE512应编程
使用SDP命令序列。 SST建议
SDP禁用命令序列不发出来的
设备前写作。
请参考以下应用笔记的详细
使用SDP信息:
防止无意识当
使用单电源闪存产品
正确使用JEDEC标准软件
数据保护
数据#投票( DQ
7
)
当SST29EE / LE / VE512是在内部写
周期,任何尝试读取DQ
7
的最后一个字节装入能很好地协同的
荷兰国际集团的字节负载周期将收到的补
真正的数据。一旦写周期完成时, DQ的
7
展现真实的数据。该设备然后准备下一次操作
化。参见图7为数据#查询时序图和图 -
茜16为一个流程图。
切换位( DQ
6
)
在内部写周期,任何尝试连续
阅读DQ
6
会产生交替的0和1 ,即切换
0和1之间。当写周期完成时,该
触发将停止。该设备然后准备进行下一次
操作。参见图8的触发位时序图
图16为一个流程图。切换位的初始读
通常将一个“1”。
数据保护
该SST29EE / LE / VE512提供硬件和软件
洁具功能,以防止意外的非易失性数据
写道。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护: WE#或CE #脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测:写操作
抑制当V
DD
小于2.5V 。
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512 Kbit的页面模式的EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
数据表
产品标识
该产品识别方式识别该设备作为
SST29EE / LE / VE512和制造商为SST。此模式
通过软件访问。有关详细信息,请参阅表4 ,图
11,用于软件ID条目,并读取时序图和
图18为ID输入命令序列流程图。
表1 :P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST29EE512
SST29LE512
SST29VE512
0001H
0001H
0001H
5DH
3DH
3DH
T1.2 301
产品标识模式退出
为了返回到标准的读模式中,软件
产品标识模式必须退出。退出是
通过发出软件ID退出(复位)操作完成
化,它返回设备的读操作。该
复位操作,也可以使用该设备复位为
一个无意的瞬态条件后阅读模式
显然导致设备运行异常,如:
不正确读出。参见表4软件命令
码,图12为时序波形,图18为一
流程图。
数据
BFH
0000H
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
A15 - A0
地址缓冲器&门锁
Y型解码器和页锁存器
CE#
OE #
WE#
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ7 - DQ0
301 ILL B1.1
WE#
VDD
A12
A15
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VSS
301 ILL F19.1
图1 :P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
领导
PLCC
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4
512 Kbit的页面模式的EEPROM
SST29EE512 / SST29LE512 / SST29VE512
数据表
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
VDD
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
标准引脚
顶视图
死亡最多
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
301 ILL F01.2
图2 :P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
领导
TSOP
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32-pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
WE#
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
301 ILL F02.2
图3 :P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
PDIP
表2 :P
IN
D
ESCRIPTION
符号
A
15
-A
7
A
6
-A
0
引脚名称
行地址输入
列地址输入
数据输入/输出
功能
提供的内存地址。行地址定义一个页面的写周期。
列地址被切换到页面加载数据
要在读周期输出数据,并在写周期接收输入数据。
数据在一个写周期内锁定。
输出处于三态,当OE #或CE #为高电平。
要激活设备时, CE#为低。
到栅极上的数据输出缓冲器。
要控制写操作。
提供:
5.0V电源( ±10%)为SST29EE512
3.0V电源( 3.0-3.6V )的SST29LE512
2.7V电源( 2.7-3.6V )的SST29VE512
DQ
7
-DQ
0
CE#
OE #
WE#
V
DD
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
电源
V
SS
NC
无连接
未连接引脚。
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©2001硅存储技术公司
S71060-06-000 6/01
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