电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
JVM1812S220T402  JVE75A  JVE75B  
SST29LF010-250-4I-PH 2兆位( 256K ×8 )页面模式的EEPROM (2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM)
.型号:   SST29LF010-250-4I-PH
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 2兆位( 256K ×8 )页面模式的EEPROM
2 Mbit (256K x8) Page-Mode EEPROM
文件大小 :   324 K    
页数 : 26 页
Logo:   
品牌   SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
购买 :   
  浏览型号SST29LF010-250-4I-PH的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号SST29LF010-250-4I-PH的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号SST29LF010-250-4I-PH的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号SST29LF010-250-4I-PH的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号SST29LF010-250-4I-PH的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号SST29LF010-250-4I-PH的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号SST29LF010-250-4I-PH的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号SST29LF010-250-4I-PH的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
2兆位( 256K ×8 )页面模式的EEPROM
SST29EE020 / SST29LE020 / SST29VE020
SST29EE020 / SST29LE020 / SST29VE0202 Mb的页面模式闪速存储器
数据表
产品特点:
•单电压读写操作
- 5.0V -仅供SST29EE020
- 3.0-3.6V的SST29LE020
- 2.7-3.6V的SST29VE020
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 工作电流:20 mA(典型值)的5V和
10毫安(典型值)为3.0 / 2.7V
- 待机电流: 10 μA (典型值)
•快速页写操作
- 每个页, 2048页128字节
- 页面 - 写周期: 5毫秒(典型值)
- 完整的存储器重写: 10秒(典型值)
- 有效字节写周期时间: 39 μs(典型值)
•快速读取访问时间
- 5.0V的管理: 120和150纳秒
- 3.0-3.6V操作: 200和250纳秒
- 2.7-3.6V操作: 200和250纳秒
•锁存地址和数据
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•写检测结束
- 触发位
- 数据#投票
•硬件和软件数据保护
•产品标识可通过以下方式访问
软件操作
• TTL I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (8毫米X 14毫米尺寸8mm x 20毫米)
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST29EE / LE / VE020是256K ×8 CMOS页写
EEPROM制造与SST专有的,高性
formance CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST29EE / LE / VE020写入与单个
电源。内部擦除/编程是透明的
用户。该SST29EE / LE / VE020符合JEDEC标
准引脚为字节宽的回忆。
拥有高性能的页面写的SST29EE / LE /
VE020提供39微秒典型的字节写入时间。该
整个存储器,即256千字节,可以被写入页逐
在短短的10秒后,使用界面为特色的,当页面
Tures的,如翻转位或数据#投票指示
一个写周期的完成。为了防止意外
写的SST29EE / LE / VE020提供了片上硬件和
软件数据保护方案。设计,制造
捕获的原始图像,并测试了广泛的应用中,光谱
SST29EE / LE / VE020提供有保证的页面 -
写10,000次的耐力。数据保留的额定功率为
超过100年以上。
该SST29EE / LE / VE020适合于应用
需要程序方便和经济的升级,
配置或数据存储器。对于所有系统应用,
在SST29EE / LE / VE020显著改善性能
和可靠性,同时降低功耗。该
SST29EE / LE / VE020提高灵活性,同时降低了
成本为程序,数据和配置存储应用
系统蒸发散。
为了满足高密度的表面安装的要求,
SST29EE / LE / VE020提供32引脚PLCC和32
引脚TSOP封装。 A 600密耳, 32引脚PDIP封装
也可提供。参见图1 ,图2和3为插脚引线。
设备操作
SST的页面模式的EEPROM提供电路中的电
写能力。该SST29EE / LE / VE020不需要
单独的擦除和编程操作。国内
定时写周期执行两个擦除和编程传输
parently给用户。该SST29EE / LE / VE020具有行业
试着标准可选软件数据保护,这SST
建议总是被激活。该SST29EE / LE /
VE020与行业标准兼容的EEPROM
引脚和功能。
©2001硅存储技术公司
S71062-06-000 6/01
307
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7