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73643-2100  73643-2200  
SST29SF020-55-4I-WH 512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )小扇区闪存 (512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash)
.型号:   SST29SF020-55-4I-WH
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描述: 512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )小扇区闪存
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
文件大小 :   289 K    
页数 : 24 页
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品牌   SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040
初步规格
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE#置为低电平,同时保持CE #
低。地址总线被锁定在WE#的下降沿
或CE # ,先到为准过去。数据总线被锁存
WE#或CE #的上升沿,以先到为准。
第六WE #脉冲的边缘。内部擦除操作
第六WE #脉冲之后开始。最终擦除的操作
化可以通过数据#查询或翻转确定
位的方法。参见图9的时序波形。所有的COM
在扇区擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。
芯片擦除操作
该SST29SFxxx和SST29VFxxx设备提供
芯片擦除操作,其允许用户擦除
整个存储器阵列的“1”状态。这是非常有用的时候
整个装置必须迅速删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令( 10H )地址为555H
字节序列。内部擦除操作开始
第六WE #或CE #上升沿,以先到为准
第一。在内部擦除操作,唯一有效的读
是翻转位或数据#查询。请参阅表4的命令
序列,图10为时序图,图19为
的流程图。在芯片级时写入的任何命令
擦除操作将被忽略。
在SST29SFxxx和SST29VFxxx的读操作
设备通过CE#和OE #控制,既要
低的系统,以获得从所述输出数据。 CE#为
用于设备的选择。当CE#为高电平时,芯片是
取消选中,仅消耗待机功耗。 OE #是
输出控制,并从输出用于门控数据
销。数据总线处于高阻抗状态时,无论
CE #或OE #为高电平。请参见读周期时序dia-
克进一步的细节(图4) 。
字节编程操作
该SST29SFxxx和SST29VFxxx设备是亲
编程在逐字节的基础。在编程操作
包括三个步骤。第一步骤是三个字节负载
序列软件数据保护。第二步骤是
加载字节地址和字节的数据。在字节亲
克操作时,地址锁存在下降沿
边缘CE#或WE# ,最后为准。该
数据被锁存, CE#或WE#上升沿
以先到为准。第三步是内部亲
克而操作之后的上升沿开始
第四WE#或CE # ,以先到为准。该计划
操作时,一旦启动,将完成,在20微秒。
参见图5和图6为WE #和CE#控制程序
操作时序图,图16的流程图。
在编程操作期间,唯一有效的读操作
数据#查询和翻转位。在内部编程
操作时,主机可以自由地执行其他任务。任何
在内部编程操作期间写入命令
将被忽略。
写操作状态检测
该SST29SFxxx和SST29VFxxx器件提供两个
软件方法来检测完成写的(亲
克或擦除)循环中,为了优化系统
写周期时间。该软件的检测包括两个台站
状态位:数据#查询( DQ
7
),并触发位( DQ
6
) 。该
写操作结束后的上升检测模式被使能
的WE#边沿启动内部程序或
擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此,无论是数据#查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况,系统可以有可能
获得一个错误的结果,即,有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥,如果错误的结果发生时,软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两(2)倍。如果两个读数是有效的,则
设备已完成写周期,否则rejec-
化是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。该SST29SFxxx和
SST29VFxxx提供扇区擦除模式。部门架构设计师用手工
tecture是基于128字节均匀的扇区大小。该
通过执行一个六字节级启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列( 20H )
和扇区地址( SA )在最后一个总线周期。部门
地址被锁存的6个WE#的下降沿
脉冲,而命令( 20H)被锁定在上升
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