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SST29SF020-55-4I-WH 512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )小扇区闪存 (512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash)
.型号:   SST29SF020-55-4I-WH
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描述: 512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )小扇区闪存
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
文件大小 :   289 K    
页数 : 24 页
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品牌   SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
购买 :   
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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040
初步规格
表6 : DC Ø
操作摄像机
C
极特
V
DD
= 2.7-3.6V
SST29VF
XXX
范围
符号
I
DD
参数
电源电流
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
IHC
V
OL
V
OH
待机V
DD
当前
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输入高电压( CMOS )
输出低电压
输出高电压
V
DD
-0.2
0.7V
DD
V
DD
-0.3
0.2
20
20
15
1
10
0.8
mA
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
V
最大
单位
测试条件
地址输入= V
IL
/V
IH
,在f = 1 / T的
RC
V
DD
=V
DD
最大
CE # = OE # = V
IL
, WE# = V
IH
,所有I / O开放
CE# = WE# = V
IL
, OE # = V
IH
CE# = V
IHC
, V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ,V
DD
=V
DD
I
OH
= -100 μA ,V
DD
=V
DD
T6.5 505
表7 ,R
ECOMMENDED
S
变体系
P
OWER
-
UP
T
IMINGS
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
上电到读操作
上电到编程/擦除操作
最低
100
100
单位
µs
µs
T7.1 505
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表8 :C
APACITANCE ( TA = 25 ° C,F = 1 MHz,其他引脚开路)
参数
C
I/O1
C
IN1
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
6 pF的
T8.1 505
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表9 :v
ELIABILITY
C
极特
符号
N
END1
T
DR1
I
LTH1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T9.2 505
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
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S71160-05-000 5/01
505
9
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