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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )小扇区闪存
SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040
SST29SF / VF512 / 010 / 020 / 0405.0 & 2.7V 512KB /为1Mb / 2MB / 4Mb的( X8 )字节编程,擦除小扇区闪存
初步规格
产品特点:
•组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8
•单电压读写操作
- 5.0V -仅供SST29SF512 / 010 / 020 / 040
- 2.7-3.6V的SST29VF512 / 010 / 020 / 040
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗:
- 工作电流10 mA(典型值)
- 待机电流:
30 μA (典型值) SST29SF512 / 010 / 020 / 040
1 μA (典型值)的SST29VF512 / 010 / 020 / 040
•扇区擦除功能
- 统一的128字节扇区
•快速读取访问时间:
= 55 ns的
= 70纳秒
•锁存地址和数据
•快速擦除和字节编程:
- 扇区擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 芯片擦除时间: 70毫秒(典型值)
- 字节编程时间: 14 μs(典型值)
- 芯片重写时间:
1秒(典型值) SST29SF / VF512
2秒钟(典型值) SST29SF / VF010
4秒(典型值) SST29SF / VF020
8秒(典型值) SST29SF / VF040
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据#投票
• TTL I / O的SST29SFxxx兼容性
对于SST29VFxxx • CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (采用8mm x 14毫米)
- 32引脚PDIP
产品说明
该SST29SF512 / 010 / 020 / 040和SST29VF512 / 010 /
020/040是64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8 CMOS
小扇区闪存( SSF )与SST的propri-制造
etary ,高性能CMOS SuperFlash技术。
分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性与比较
另一种方法。该SST29SFxxx设备写
(编程或擦除)以4.5-5.5V的电源。该
SST29VFxxx设备写(编程或擦除)用2.7〜
3.6V电源。这些器件符合JEDEC标
准引脚为X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时,
SST29SFxxx和SST29VFxxx设备提供了马克西
20微秒的妈妈字节编程时间。为了防止
无意中写的,他们有片上硬件和软件
洁具数据保护方案。设计,制造,
并测试了广泛的应用,这些光谱
器件还具有一个保证续航能力至少
10,000次。数据保留的额定功率为大于100
年。
该SST29SFxxx和SST29VFxxx设备适合于
需要方便和经济updat-应用
荷兰国际集团计划,配置或数据存储器。对于所有的系
统的应用程序,它们显著提高性能
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505
1
和可靠性,同时降低功耗。他们
擦除和编程比在本质上使用更少的能源
其他闪存技术。的总能量消耗的
是所施加的电压的函数,电流和时间
应用程序。因为对于任何给定的电压范围内,则超
Flash技术使用更少的电流进行编程,并具有
擦除时间更短,在任的总能量消耗
擦除或编程操作是低于其他闪存
技术。他们还可以提高灵活性,同时降低
成本为程序,数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍,独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此,系统软件
或硬件没有被修改或降额,是
必要时与其他闪存技术,其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求,
SST29SFxxx和SST29VFxxx设备在提供32位
引脚PLCC和32引脚TSOP封装。 A 600万, 32针
PDIP ,也可为SST29SFxxx设备。参见图
1 ,2和3为插脚引线。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
SSF是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。
512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040
初步规格
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE#置为低电平,同时保持CE #
低。地址总线被锁定在WE#的下降沿
或CE # ,先到为准过去。数据总线被锁存
WE#或CE #的上升沿,以先到为准。
第六WE #脉冲的边缘。内部擦除操作
第六WE #脉冲之后开始。最终擦除的操作
化可以通过数据#查询或翻转确定
位的方法。参见图9的时序波形。所有的COM
在扇区擦除操作期间发出的要求主要
忽略不计。
芯片擦除操作
该SST29SFxxx和SST29VFxxx设备提供
芯片擦除操作,其允许用户擦除
整个存储器阵列的“1”状态。这是非常有用的时候
整个装置必须迅速删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令( 10H )地址为555H
字节序列。内部擦除操作开始
第六WE #或CE #上升沿,以先到为准
第一。在内部擦除操作,唯一有效的读
是翻转位或数据#查询。请参阅表4的命令
序列,图10为时序图,图19为
的流程图。在芯片级时写入的任何命令
擦除操作将被忽略。
在SST29SFxxx和SST29VFxxx的读操作
设备通过CE#和OE #控制,既要
低的系统,以获得从所述输出数据。 CE#为
用于设备的选择。当CE#为高电平时,芯片是
取消选中,仅消耗待机功耗。 OE #是
输出控制,并从输出用于门控数据
销。数据总线处于高阻抗状态时,无论
CE #或OE #为高电平。请参见读周期时序dia-
克进一步的细节(图4) 。
字节编程操作
该SST29SFxxx和SST29VFxxx设备是亲
编程在逐字节的基础。在编程操作
包括三个步骤。第一步骤是三个字节负载
序列软件数据保护。第二步骤是
加载字节地址和字节的数据。在字节亲
克操作时,地址锁存在下降沿
边缘CE#或WE# ,最后为准。该
数据被锁存, CE#或WE#上升沿
以先到为准。第三步是内部亲
克而操作之后的上升沿开始
第四WE#或CE # ,以先到为准。该计划
操作时,一旦启动,将完成,在20微秒。
参见图5和图6为WE #和CE#控制程序
操作时序图,图16的流程图。
在编程操作期间,唯一有效的读操作
数据#查询和翻转位。在内部编程
操作时,主机可以自由地执行其他任务。任何
在内部编程操作期间写入命令
将被忽略。
写操作状态检测
该SST29SFxxx和SST29VFxxx器件提供两个
软件方法来检测完成写的(亲
克或擦除)循环中,为了优化系统
写周期时间。该软件的检测包括两个台站
状态位:数据#查询( DQ
7
),并触发位( DQ
6
) 。该
写操作结束后的上升检测模式被使能
的WE#边沿启动内部程序或
擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此,无论是数据#查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况,系统可以有可能
获得一个错误的结果,即,有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥,如果错误的结果发生时,软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两(2)倍。如果两个读数是有效的,则
设备已完成写周期,否则rejec-
化是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。该SST29SFxxx和
SST29VFxxx提供扇区擦除模式。部门架构设计师用手工
tecture是基于128字节均匀的扇区大小。该
通过执行一个六字节级启动扇区擦除操作
与扇区擦除命令的命令序列( 20H )
和扇区地址( SA )在最后一个总线周期。部门
地址被锁存的6个WE#的下降沿
脉冲,而命令( 20H)被锁定在上升
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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040
初步规格
数据#投票( DQ
7
)
当SST29SFxxx和SST29VFxxx器件是在
内部编程操作,任何尝试读取DQ
7
将产生的真实数据的补码。一旦
程序操作完成后, DQ
7
会产生真正的
数据。该设备然后准备进行下一次操作。能很好地协同
荷兰国际集团内部擦除操作,任何尝试读取DQ
7
产生一个'0'。一旦内部擦除操作的COM
pleted , DQ
7
将产生一个'1'。数据#投票是有效的
之后的第4个WE # (或CE # )的上升沿脉冲的亲
克操作。对于扇区或全片擦除,数据# Poll-
ING是有效的后6个WE# (或CE # )的上升沿
脉搏。参见图7为数据#查询时序图
图17为一个流程图。
编程操作,提供最佳的保护
意外的写操作,如系统加电时
或断电。任何擦除操作需要包容
锡安六个字节装入序列。这些设备运
与软件数据保护永久启用。
请参阅表4为特定的软件命令代码。能很好地协同
荷兰国际集团SDP命令序列,无效命令会中止
该设备读取模式, T内
RC
.
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
SST29SF512 , SST29SF010 , SST29SF020 , SST29SF040
SST29VF512,
SST29VF010,
SST29VF020,
SST29VF040和制造商为SST。此模式可
可以通过软件来操作的访问。用户可以使用
软件产品标识操作来识别一部分
(即,使用设备ID ),当使用多个manufactur-
ERS在同一个插座上。有关详细信息,请参阅表4的软件
操作时,图11为软件ID进入和读取
对于软件ID进入时序图和图18
命令序列流程图。
表1 :P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址
制造商ID
器件ID
SST29SF512
SST29VF512
SST29SF010
SST29VF010
SST29SF020
SST29VF020
SST29SF040
SST29VF040
0001H
0001H
0001H
0001H
0001H
0001H
0001H
0001H
20H
21H
22H
23H
24H
25H
13H
14H
T1.1 505
切换位( DQ
6
)
在内部编程或擦除操作,有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交变0
和1 ,即,切换0和1之间。当内部
编程或擦除操作完成后,触发将
停止。该设备然后准备进行下一次操作。该
之后的第4个WE #上升沿触发位是有效的(或
CE# )脉冲编程操作。对于部门或削片
擦除,切换位之后第六个上升沿有效
WE# (或CE #)脉冲。参见图8的翻转位时序dia-
克和图17的流程图。
数据
BFH
0000H
数据保护
该SST29SFxxx和SST29VFxxx设备同时提供
硬件和软件功能来保护非易失性数据
意外写操作。
硬件数据保护
噪声/毛刺保护: WE#或CE #脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测:写操作
抑制当V
DD
低于2.5V的SST29SFxxx 。该
写操作被禁止时, V
DD
小于1.5V 。为
SST29VFxxx.
写禁止模式:强制OE #低, CE #高或WE#
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中,软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列,它返回到设备的读操作。
请注意,该软件ID退出命令被忽略
在内部编程或擦除操作。见表4
软件命令代码,图12为时序波形
表格和图18为一个流程图。
软件数据保护( SDP )
该SST29SFxxx和SST29VFxxx提供JEDEC
对所有数据已批准的软件的数据保护方案
变更运行,即编程和擦除。任何程序
操作需要包含的一系列的三个字节
序列。三个字节装入序列用于启动
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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040
初步规格
F
UNCTIONAL
B
LOCK
D
IAGRAM
X解码器
超快闪
内存
内存
地址
地址缓冲器&锁存器
y解码器
CE#
OE #
WE#
DQ7 - DQ0
505 ILL B1.1
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
SST29SF / VF512 SST29SF / VF010 SST29SF / VF020 SST29SF / VF040
WE#
WE#
WE#
WE#
VDD
A12
A15
A16
A18
VDD
A12
A15
A16
VDD
A12
A15
A16
NC
VDD
A12
A15
NC
NC
SST29SF / VF040 SST29SF / VF020 SST29SF / VF010 SST29SF / VF512
NC
SST29SF / VF512 SST29SF / VF010 SST29SF / VF020 SST29SF / VF040
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
SST29SF / VF040 SST29SF / VF020 SST29SF / VF010 SST29SF / VF512
4
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
NC
A17
NC
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VSS
505 ILL F02a.3
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ5
DQ5
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
图1 :P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
PLCC
©2001硅存储技术公司
S71160-05-000 5/01
505
4
DQ6
DQ6
DQ6
512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF512 / SST29SF010 / SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF512 / SST29VF010 / SST29VF020 / SST29VF040
初步规格
SST29SF / VF040 SST29SF / VF020 SST29SF / VF010 SST29SF / VF512
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
VDD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
VDD
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
SST29SF / VF512 SST29SF / VF010 SST29SF / VF020 SST29SF / VF040
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
标准引脚
顶视图
死亡最多
505 ILL F01.2
图2 :P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
TSOP ( 8
MM
SST29SF040 SST29SF020 SST29SF010 SST29SF512
X
14
MM
)
SST29SF512 SST29SF010 SST29SF020 SST29SF040
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32-pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VDD
WE#
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
505 ILL F02b.4
VDD
WE#
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE#
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE#
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
图3 :P
IN
A
SSIGNMENTS FOR
32-
PDIP
©2001硅存储技术公司
S71160-05-000 5/01
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5
相关元器件产品Datasheet PDF文档

SST29SF040-70-4C-PH

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
20 SST

SST29SF040-70-4C-WH

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
44 SST

SST29SF040-70-4I-NH

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
15 SST

SST29SF040-70-4I-PH

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
18 SST

SST29SF040-70-4I-WH

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
25 SST

SST29SF512

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Small-Sector Flash
38 SST