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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
SST39LF / VF512 / 010 / 020 / 0403.0 & 2.7V 512KB /为1Mb / 2MB / 4Mb的( X8 )强积金的回忆
数据表
产品特点:
•组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8
•单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF512 / 010 / 020 / 040
- 2.7-3.6V的SST39VF512 / 010 / 020 / 040
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
(在14 MHz时的典型值)
- 工作电流:5 mA(典型值)
- 待机电流: 1 μA (典型值)
•扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
•快速读取访问时间:
- 45纳秒的SST39LF512 / 010 / 020 / 040
- 55纳秒的SST39LF020 / 040
- 70纳秒的SST39VF512 / 010 / 020 / 040
•锁存地址和数据
•快速擦除和字节编程:
- 扇区擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 芯片擦除时间: 70毫秒(典型值)
- 字节编程时间: 14 μs(典型值)
- 芯片重写时间:
1秒(典型值) SST39LF / VF512
2秒钟(典型值) SST39LF / VF010
4秒(典型值) SST39LF / VF020
8秒(典型值) SST39LF / VF040
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据#投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (采用8mm x 14毫米)
- 48球TFBGA封装( 6× 8毫米)
- 34球WFBGA ( 4× 6毫米)的1M和2M
•所有器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST39LF512 , SST39LF010 , SST39LF020 , SST39LF040
和SST39VF512 , SST39VF010 , SST39VF020 , SST39VF040
是64K X8 , X8 128K , 256K x8和5124K X8 CMOS多陈建
姿势闪存( MPF)制造的SST专有的,高性
formance CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元
设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。该
SST39LF512 / 010 / 020 / 040设备写(编程或擦除)与
一3.0-3.6V电源。该SST39VF512 / 010 / 020 / 040设备
写了2.7-3.6V电源。该器件符合
JEDEC标准引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时,
SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 / 020 /
040设备提供了20的最大字节编程时间
微秒。这些器件使用翻转位或数据#查询,从而提供与
美食在完成计划操作。为了保护
防止误写入,他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计,制造
捕获的原始图像,并测试了广泛的应用范围,它们
提供与保证续航能力一般
10万次。数据保留的额定功率为大于100
年。
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040器件适用于需要应用
程序便捷,经济的升级,组态
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比,或数据存储器。对于所有系统应用,它们
显著提高了性能和可靠性,同时低
化工e圈的功耗。他们本能地使用更少的能源
擦除和编程比其他闪存技时
吉斯。所消耗的总能量是一个函数
施加的电压,电流和应用的时间。由于对
任何给定的电压范围, SuperFlash技术
编程电流更低,且具有更短的擦除时间内,
在任何擦除或编程的总能量消耗的能操作
ATION低于其他闪存技术。这些
器件还可以提高灵活性,同时降低了成本
程序,数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍,独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此,系统软件
或硬件没有被修改或降额,是
必要时与其他闪存技术,其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足表面贴装的要求, SST39LF512 /
010/020/040和SST39VF512 / 010 / 020 / 040设备
在32引脚PLCC和32引脚TSOP封装。该
SST39LF / VF010和SST39LF / VF020还提供在
48球TFBGA封装。参见图2 , 3 ,4和5,用于
引脚分配。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。
512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE#置为低电平,同时保持CE #
低。地址总线被锁定在WE#的下降沿
或CE # ,先到为准过去。数据总线被锁存
WE#或CE #的上升沿,以先到为准。
第六WE #脉冲的边缘。内部擦除操作
第六WE #脉冲之后开始。在最终的擦除可
通过数据#查询或翻转位确定甲
消耗臭氧层物质。图11给出了时序波形。任何命令
在扇区擦除操作过程中写入将被忽略。
芯片擦除操作
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040设备提供了全片擦除操作,该操作
允许用户擦除整个存储器阵列的' 1的
状态。此,当整个装置必须迅速地是有用
删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令( 10H )地址为5555H
字节序列。内部擦除操作开始
第六WE #或CE #上升沿,以先到为准
第一。在内部擦除操作,唯一有效的读
是翻转位或数据#查询。请参阅表4的命令
序列,图12为时序图,图20为
的流程图。在芯片级时写入的任何命令
擦除操作将被忽略。
该SST39LF512的读操作/ 010 / 020 / 040和
SST39VF512 / 010 / 020 / 040设备通过CE#控制
和OE # ,二者都为低电平的系统,以获得数据
从输出。 CE#用于器件选择。当
CE#为高电平时,芯片被取消,只有待机功耗
被消耗。 OE#为输出控制,用于栅极
从输出管脚的数据。数据总线处于高阻抗
ANCE状态时,无论CE #或OE #为高电平。参阅
了解更多详细信息(图6)周期时序图。
字节编程操作
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040被编程在逐字节的基础。前
编程,其中所述字节存在一定的扇区
完全擦除。程序操作完成
三个步骤。第一步是3字节装入序列
软件数据保护。第二步骤是要加载
字节地址和字节的数据。在字节编程
操作时,地址被锁存的下降沿
CE#或WE# ,先到为准最后。该数据是
锁存, CE#或WE #的上升沿,取
先发生。第三步是内部编程操作
这是在第4个WE#上升沿启动或
CE# ,以先到为准。编程操作,一旦
开始,将完成,在20微秒。参见图7和
8 WE#和CE #控制的编程操作时序
图和图17的流程图。在计划
操作时,唯一有效的读操作是数据#投票和瓶酒
GLE位。在内部编程操作,主机
自由地执行其他任务。任何书面命令
内部编程操作期间将被忽略。
写操作状态检测
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040器件提供两种软件方法来检测
写(编程或擦除)周期,完成以
优化系统写周期时间。该软件探测器
化包含两个状态位:数据#查询( DQ
7
),并瓶酒
GLE位( DQ
6
) 。写操作结束检测模式已启用
之后WE#上升沿启动内部亲
克或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此,无论是数据#查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况,系统可以有可能
获得一个错误的结果,即,有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥,如果错误的结果发生时,软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两(2)倍。如果两个读数是有效的,则
设备已完成写周期,否则rejec-
化是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。部门架构
是基于4K字节均匀的扇区大小。在扇区
通过执行一个6字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令( 30H )和命令序列
扇区地址( SA )在最后一个总线周期。部门
地址被锁存的6个WE#的下降沿
脉冲,而命令( 30H)被锁定在上升
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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
数据表
数据#投票( DQ
7
)
当SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 /
010/020/040是在内部程序运行过程中,
试图读取DQ
7
将产生的补
真正的数据。一旦程序操作完成后, DQ
7
将产生真正的数据。请注意,即使DQ
7
五月
具有有效数据的结束紧随其后
内部写操作,其余数据输出可
仍然是无效的:在整个数据总线上的有效数据将出现
在1的时间间隔后的后续读周期
微秒。在内部擦除操作,任何尝试读取
DQ
7
会产生一个'0'。一旦内部擦除操作
完成后, DQ
7
将产生一个'1'。该数据#查询
之后的第4个WE # (或CE # )的上升沿有效脉冲
程序操作。对于扇区或全片擦除,数据#
投票有效后的第6个WE # (或CE # )的上升沿
脉搏。参见图9为数据#查询时序图
图18为一个流程图。
软件数据保护( SDP )
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040提供了JEDEC核准的软件数据亲
对于所有数据修改操作,即,保护计划
克和擦除。任何编程操作要求
夹杂的一系列的三个字节的序列。三字节
装入序列用于启动编程操作,
提供防止意外写操作的最佳保护
系统蒸发散,例如,在系统上电或断电。
任何擦除操作需要包含六个字节装入
序列。这些设备附带的软件
数据保护永久启用。请参阅表4为
具体的软件命令代码。在SDP命令
序,无效命令会中止器件读取
模式, T内
RC 。
产品标识
产品标识模式标识的设备上进行
在SST39LF / VF512 , SST39LF / VF010 , SST39LF / VF020
和SST39LF / VF040和制造商为SST。这
模式可以由软件操作来访问。用户
可以使用该软件产品的识别操作,以
识别部分(即使用设备ID ),使用多的时候
PLE制造商在同一个插座上。有关详细信息,请参阅
表4对软件的操作,图13的软件
ID进入和读取时序图,图19为
软件ID进入命令序列流程图。
表1 :产品标识
地址
制造商ID
器件ID
SST39LF/VF512
SST39LF/VF010
SST39LF/VF020
SST39LF/VF040
0001H
0001H
0001H
0001H
D4H
D5H
D6H
D7H
T1.1 1150
切换位( DQ
6
)
在内部编程或擦除操作,有关的任何
secutive尝试读出的DQ
6
会产生交替'0'
和'1' ,即0和1之间切换。当内部
编程或擦除操作完成后,触发将
停止。该设备然后准备进行下一次操作。该
之后的第4个WE #上升沿触发位是有效的(或
CE# )脉冲编程操作。对于扇区或削片
擦除,切换位之后第六个上升沿有效
WE# (或CE #)脉冲。参见图10翻转位时序
图,图18为一个流程图。
数据
BFH
数据保护
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040提供硬件和软件功能
防止非易失性数据免受意外写操作。
0000H
硬件数据保护
噪声/毛刺保护: WE#或CE #脉冲小于5
NS不会启动写周期。
V
DD
上电/掉电检测:写操作
抑制当V
DD
小于1.5V 。
写禁止模式:强制OE #低, CE #高或WE#
高会抑制写操作。这可以防止不经意
在上电或掉电ENT写道。
产品标识模式退出/复位
为了返回到标准的读模式中,软件
产品标识模式必须退出。出口是accom-
通过发出软件ID退出命令plished
序列,它返回到设备的读操作。
请注意,该软件ID退出命令被忽略
在内部编程或擦除操作。见表4
软件命令代码,图14为时序波形
形成,并且图19为一个流程图。
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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
数据表
X解码器
超快闪
内存
内存地址
地址缓冲器&锁存器
y解码器
CE#
OE #
WE#
控制逻辑
I / O缓冲器和数据锁存器
DQ
7
- DQ
0
1150 B1.1
图1 :功能框图
SST39LF / VF512 SST39LF / VF010 SST39LF / VF020 SST39LF / VF040
WE#
WE#
WE#
WE#
VDD
A12
A15
A16
A18
VDD
A12
A15
A16
VDD
A12
A15
A16
NC
VDD
A12
A15
NC
NC
SST39LF / VF040 SST39LF / VF020 SST39LF / VF010 SST39LF / VF512
NC
SST39LF / VF512 SST39LF / VF010 SST39LF / VF020 SST39LF / VF040
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
SST39LF / VF040 SST39LF / VF020 SST39LF / VF010 SST39LF / VF512
4
3
2
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
NC
A17
NC
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
DQ7
32引脚PLCC
顶视图
21
14 15 16 17 18 19 20
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
1150 32 - PLCC NH P4.3
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ5
DQ5
DQ5
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
DQ1
DQ2
VSS
DQ3
DQ4
图2 :引脚分配为32引脚PLCC
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DQ6
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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
数据表
SST39LF / VF040 SST39LF / VF020 SST39LF / VF010 SST39LF / VF512
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
VDD
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
VDD
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
VDD
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1150 32 - TSOP WH P1.0
SST39LF / VF512 SST39LF / VF010 SST39LF / VF020 SST39LF / VF040
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
标准引脚
顶视图
死亡最多
图3 :引脚分配为32引脚TSOP (采用8mm x 14毫米)
TOP VIEW (球朝下)
SST39LF/VF010
6
5
1150 48 - TFBGA B3K P2.0
A8 A9 A11 A12 A10数控DQ6 DQ7
4
3
2
1
WE# NC NC NC DQ5 NC VDD DQ4
NC NC NC NC DQ2 DQ3 VDD NC
A7 NC A6
A3 A4 A2
A5 DQ0 NC
A1
NC DQ1
6
5
4
3
2
1
TOP VIEW (球朝下)
SST39LF/VF020
A14 A13 A15 A16 NC数控
NC VSS
A14 A13 A15 A16 A17 NC
NC VSS
1150 48 - TFBGA B3K P3.0
A8 A9 A11 A12 A10数控DQ6 DQ7
WE# NC NC NC DQ5 NC VDD DQ4
NC NC NC NC DQ2 DQ3 VDD NC
A7 NC A6
A3 A4 A2
A5 DQ0 NC
A1
NC DQ1
A0 CE # OE # VSS
A0 CE # OE # VSS
A
B
C
D
E
F
G
H
A
TOP VIEW (球朝下)
SST39LF/VF040
B
C
D
E
F
G
H
6
5
4
3
2
1
A14 A13 A15 A16 A17 NC
NC VSS
1150 48 - TFBGA B3K P4.0
A8 A9 A11 A12 A10数控DQ6 DQ7
WE# NC NC NC DQ5 NC VDD DQ4
NC NC NC NC DQ2 DQ3 VDD NC
A7 A18 A6
A3 A4 A2
A5 DQ0 NC
A1
NC DQ1
A0 CE # OE # VSS
A
B
C
D
E
F
G
H
图4 :引脚分配为48球TFBGA封装( 6× 8毫米)为1兆, 2兆, 4兆
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SST39LF020-75-4C-B3KE

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
2 SST

SST39LF020-75-4C-B3ME

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
2 SST

SST39LF020-75-4C-MHE

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
4 SST

SST39LF020-75-4C-MKE

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
2 SST

SST39LF020-75-4C-NHE

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
1 SST

SST39LF020-75-4C-NKE

512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
3 SST
    SST39LF020-75-4C-B3HE
    应用领域和描述
    闪存

    512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
    512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存

    总24页 (637K) SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC
    SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC
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