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B330C  C3159  4430  D4KB08  C3173  AL460A-13-PBF  2272  D3KB05  B380C  D2KB08  
SST39LF040 512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 (512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash)
.型号:   SST39LF040
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描述: 512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存
512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
文件大小 :   283 K    
页数 : 24 页
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品牌   SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
购买 :   
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512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
SST39LF / VF512 / 010 / 020 / 0403.0 & 2.7V 512KB /为1Mb / 2MB / 4Mb的( X8 )强积金的回忆
数据表
产品特点:
•组织为64K ×8 / 128K ×8 / 256K ×8 / 512K ×8
•单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF512 / 010 / 020 / 040
- 2.7-3.6V的SST39VF512 / 010 / 020 / 040
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗:
- 工作电流10 mA(典型值)
- 待机电流: 1 μA (典型值)
•扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
•快速读取访问时间:
- 45纳秒的SST39LF512 / 010 / 020 / 040
- 55纳秒的SST39LF020 / 040
- 70和90纳秒的SST39VF512 / 010 / 020 / 040
•锁存地址和数据
•快速擦除和字节编程:
- 扇区擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 芯片擦除时间: 70毫秒(典型值)
- 字节编程时间: 14 μs(典型值)
- 芯片重写时间:
1秒(典型值) SST39LF / VF512
2秒钟(典型值) SST39LF / VF010
4秒(典型值) SST39LF / VF020
8秒(典型值) SST39LF / VF040
•自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
•检测写操作结束的
- 触发位
- 数据#投票
• CMOS I / O兼容性
• JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
•封装
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP (采用8mm x 14毫米)
- 48球TFBGA封装( 6× 8毫米)的1兆位
产品说明
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040是64K X8 , X8 128K , 256K x8和5124K X8
CMOS多用途闪存( MPF)与制造
SST专有的高性能CMOS超快闪
技术。分裂栅单元设计和厚氧化调谐
neling注入器可实现更高的可靠性和可制造性
与其他方法相比。该SST39LF512 /
010/020/040设备写(编程或擦除)与3.0-
3.6V电源。该SST39VF512 / 010 / 020 / 040
设备写一个2.7-3.6V电源。该器件
符合JEDEC标准的引脚排列X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时,
SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 / 020 /
040设备提供了20的最大字节编程时间
微秒。这些器件使用翻转位或数据#查询,从而提供与
美食在完成计划操作。为了保护
防止误写入,他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计,制造
捕获的原始图像,并测试了广泛的应用范围,它们
提供10000个周期的保证续航能力。
数据保留的额定功率为100年以上。
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040器件适用于需要应用
程序便捷,经济的升级,组态
比,或数据存储器。对于所有系统应用,它们
©2001硅存储技术公司
S71150-03-000 6/01
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显著提高了性能和可靠性,同时低
化工e圈的功耗。他们本能地使用更少的能源
擦除和编程比其他闪存技时
吉斯。所消耗的总能量是一个函数
施加的电压,电流和应用的时间。由于对
任何给定的电压范围, SuperFlash技术
编程电流更低,且具有更短的擦除时间内,
在任何擦除或编程的总能量消耗的能操作
ATION低于其他闪存技术。这些
器件还可以提高灵活性,同时降低了成本
程序,数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍,独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此,系统软件
或硬件没有被修改或降额,是
必要时与其他闪存技术,其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足表面贴装的要求, SST39LF512 /
010/020/040和SST39VF512 / 010 / 020 / 040设备
在32引脚PLCC和32引脚TSOP封装。该
39LF / VF010还提供了48球TFBGA封装。
参见图1和图2的引脚排列。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。
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