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初步
产品说明
斯坦福Microdevices的SGA - 2386是一款高性能
可级联50欧姆的放大器,设计用于从操作
一个2.7伏的电源。这RFIC采用最新的硅
锗异质结双极晶体管( HBT的SiGe )
工艺特点1微米发射器为F
T
高达65千兆赫。
该电路采用达林顿对拓扑电阻
宽带绩效反馈以及稳定性
在它的整个温度范围内。内部匹配
50欧姆阻抗,在SGA- 2386仅需要DC
阻塞和旁路电容器的外部元件。
SGA-2386
DC -2800 MHz的硅锗
HBT可级联增益模块
小信号增益与频率的关系
24
18
产品特点
DC -2800 MHz工作
2.7V单电源供电
高输出截取: + 21dBm (典型值) 。在850兆赫
高增益: 17.2分贝典型。在850兆赫
低噪声系数:4.7 dB典型值。在850兆赫
应用
宽带增益模块
无绳电话
IF / RF缓冲放大器
司机CATV放大器
单位
分钟。
典型值。
8.8
8.0
15.5
17.2
15.3
14.0
21.0
1.67:1
1.40:1
21.0
21.2
2.9
3.6
112.0
2.4
2.7
3.0
马克斯。
dB
12
6
1900
2400
3500
5000
100
500
900
0
兆赫频率
符号
P
1dB
参数:测试条件:
Z
0
= 50欧姆,ID = 20 mA,且T = 25℃
在1dB压缩输出功率
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2000年兆赫
F = 2000至2800年兆赫
F = DC - 2800 MHz的
F = DC - 2800 MHz的
F = DC - 2800 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1950 MHz的
F = DC - 1000兆赫
F = 1000至2400年兆赫
F = 1000 MHz的
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
-
-
分贝米
分贝米
dB
dB
pS
V
S
21
S
12
S
11
S
22
IP
3
NF
T
D
V
D
小信号增益
反向隔离
输入VSWR
输出VSWR
三阶截点
噪声系数
群时延
器件电压
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,
恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福
微器件产品在生命支持设备和/或系统。
版权所有1999年斯坦福Microdevices公司,公司全球版权所有。
522 Almanor大道,桑尼维尔,CA 94086
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
http://www.stanfordmicro.com
文件号EDS- 100627版本A
初步
初步
SGA - 2386 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
规范
参数
器件偏置
工作电压
工作电流
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
典型值。
2.7
20.0
18.0
2.9
20.3
8.2
19.6
21.1
17.2
2.9
21.0
8.8
12.0
21.4
15.3
3.5
21.2
8.0
11.5
21.7
14.5
3.6
21.3
7.6
13.7
21.3
马克斯。
单位
T = 25℃
V
mA
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
TEST
条件
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更,
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初步
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SGA - 2386 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
针#
1
功能
描述
在RF
射频输入引脚。该引脚需要使用
外部DC阻塞电容器
选择用于操作的频率。
GND
连接到地。通孔为使用
最佳的性能,以减少铅
电感接近地面会导致如
可能。
RF OUT / RF输出和偏置引脚。直流电压是
BIAS
目前该引脚上,因此DC
阻塞电容器是必要的
正确的操作。
GND
萨姆斯的引脚2
设备原理图
2
3
4
应用原理图+ 5V工作频率为900MHz
1uF
68pF
115欧姆
V
CC
=+5V
33nH
50 OHM
微带
2
1
3
100pF
4
100pF
50 OHM
微带
应用原理图+ 5V工作在1900 MHz的
1uF
22pF
115欧姆
V
CC
=+5V
22nH
50 OHM
微带
2
1
3
50 OHM
微带
68pF
4
68pF
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初步
初步
SGA - 2386 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
S21 ,ID = 20mA时, T = + 25℃
24
18
0
-1 0
S12 ,ID = 20mA时, T = + 25℃
dB
12
6
1900
2400
3500
5000
100
500
900
0
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
5000
5000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ,ID = 20mA时, T = + 25℃
0
-1 0
0
-1 0
S22 ,ID = 20mA时, T = + 25℃
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
5000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
兆赫频率
兆赫频率
S11 ,ID = 20mA时, TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 2.8 GHz的
S22 ,ID = 20mA时, TA = + 25℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 2.8 GHz的
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SGA - 2386 DC -2800 MHz的2.7V SiGe半导体放大器
S21 ,ID = 20mA时, T = -40℃
24
18
0
-1 0
S12 ,ID = 20mA时, T = -40℃
dB
1 2
6
1900
2400
3500
5000
100
500
900
0
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
5000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ,ID = 20mA时, T = -40℃
0
-1 0
0
-1 0
S22 ,ID = 20mA时, T = -40℃
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
5000
dB
-2 0
-3 0
-4 0
100
500
900
1900
2400
3500
5000
兆赫频率
兆赫频率
S11 ,ID = 20mA时,钽= -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 2.8 GHz的
S22 ,ID = 20mA时,钽= -40℃
频率。敏= 0.1 GHz的
频率。最大值= 2.8 GHz的
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