IRF840 [STMICROELECTRONICS]

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS; N沟道增强型功率MOS晶体管
IRF840
元器件型号: IRF840
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
N沟道增强型功率MOS晶体管

晶体 晶体管
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型号参数:IRF840参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商MOTOROLA INC
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.57
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.85 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值125 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON