元器件型号: | IRF840 |
生产厂家: | STMICROELECTRONICS |
描述和应用: | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
PDF文件: | 总9页 (文件大小:338K) |
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型号参数:IRF840参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | MOTOROLA INC |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.57 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (ID) | 8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.85 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 125 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
N沟道增强型功率MOS晶体管