M27W256-120N6TR [STMICROELECTRONICS]

256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM; 256千位32Kb的×8低电压UV EPROM和OTP EPROM
M27W256-120N6TR
元器件型号: M27W256-120N6TR
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
256千位32Kb的×8低电压UV EPROM和OTP EPROM

存储 内存集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 OTP只读存储器 电动程控只读存储器
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型号参数:M27W256-120N6TR参数
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商STMICROELECTRONICS
零件包装代码TSOP
包装说明LSSOP, TSSOP28,.53,22
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.71
风险等级5.84
Is SamacsysN
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSSOP
封装等效代码TSSOP28,.53,22
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压12.75 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.25 mm
最大待机电流0.000015 A
子类别OTP ROMs
最大压摆率0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
Base Number Matches1