M28F256-90XB1TR [STMICROELECTRONICS]

256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY; 256K ( 32K ×8 ,芯片擦除)闪存
M28F256-90XB1TR
元器件型号: M28F256-90XB1TR
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

256K(32K x8, Chip Erase)FLASH MEMORY
256K ( 32K ×8 ,芯片擦除)闪存

闪存
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型号参数:M28F256-90XB1TR参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商STMICROELECTRONICS
零件包装代码DIP
包装说明0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.83
最长访问时间90 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T32
长度41.91 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
类型NOR TYPE
宽度15.24 mm