M28W160ECB70N6U [STMICROELECTRONICS]

16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory; 16兆位( 1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存
M28W160ECB70N6U
元器件型号: M28W160ECB70N6U
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
16兆位( 1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存

闪存
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型号参数:M28W160ECB70N6U参数
是否Rohs认证符合
生命周期Transferred
IHS 制造商STMICROELECTRONICS
零件包装代码TSOP
包装说明12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.1
Is SamacsysN
最长访问时间70 ns
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3/e6
长度18.4 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,31
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模4K,32K
最大待机电流0.000005 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN/TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度12 mm
Base Number Matches1