M29DW324DB70ZA1F [STMICROELECTRONICS]

32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory; 32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ,双行16:16 ,引导块3V电源快闪记忆体
M29DW324DB70ZA1F
元器件型号: M29DW324DB70ZA1F
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ,双行16:16 ,引导块3V电源快闪记忆体

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型号参数:M29DW324DB70ZA1F参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Transferred
零件包装代码BGA
包装说明7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-63
针数63
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.18
最长访问时间70 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e1
长度11 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量63
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
类型NOR TYPE
宽度7 mm
Base Number Matches1