元器件型号: | M29DW324DB70ZA1T |
生产厂家: | STMICROELECTRONICS |
描述和应用: | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
PDF文件: | 总49页 (文件大小:764K) |
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型号参数:M29DW324DB70ZA1T参数 | |
生命周期 | Transferred |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | 7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 |
针数 | 63 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
风险等级 | 5.18 |
最长访问时间 | 70 ns |
其他特性 | BOTTOM BOOT BLOCK |
备用内存宽度 | 8 |
启动块 | BOTTOM |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
长度 | 11 mm |
内存密度 | 33554432 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 63 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 2MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 7 mm |
Base Number Matches | 1 |
32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ,双行16:16 ,引导块3V电源快闪记忆体