M29DW324DB70ZA6T [STMICROELECTRONICS]

32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory; 32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ,双行16:16 ,引导块3V电源快闪记忆体
M29DW324DB70ZA6T
元器件型号: M29DW324DB70ZA6T
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
32兆位4Mb的X8或X16的2Mb ,双行16:16 ,引导块3V电源快闪记忆体

闪存 存储 内存集成电路
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型号参数:M29DW324DB70ZA6T参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Transferred
零件包装代码BGA
包装说明7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
针数63
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.1.A
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.18
Is SamacsysN
最长访问时间70 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e0
长度11 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模8,63
端子数量63
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA63,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模8K,64K
最大待机电流0.0001 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度7 mm
Base Number Matches1