M29DW640D90N1 [STMICROELECTRONICS]

64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory; 64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,多行,页,引导块) 3V供应闪存
M29DW640D90N1
元器件型号: M29DW640D90N1
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,多行,页,引导块) 3V供应闪存

闪存 存储 内存集成电路 光电二极管
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型号参数:M29DW640D90N1参数
是否Rohs认证不符合
生命周期Transferred
IHS 制造商STMICROELECTRONICS
零件包装代码TSOP
包装说明12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数48
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.1.A
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.19
Is SamacsysN
最长访问时间90 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM/TOP
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NOR TYPE
宽度12 mm
Base Number Matches1