M29DW640D90ZA6 [STMICROELECTRONICS]

64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory; 64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,多行,页,引导块) 3V供应闪存
M29DW640D90ZA6
元器件型号: M29DW640D90ZA6
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
64兆位(8MB X8或X16 4Mb的,多行,页,引导块) 3V供应闪存

闪存
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型号参数:M29DW640D90ZA6参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Transferred
IHS 制造商STMICROELECTRONICS
零件包装代码BGA
包装说明7 X 11 MM, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63
针数63
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.1.A
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.33
最长访问时间90 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM/TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e0
长度11 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模16,126
端子数量63
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA63,8X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小4/8 words
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模8K,64K
最大待机电流0.0001 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度7 mm