M29DW640F60ZE6E
更新时间：2024-09-18 18:19:32
描述：4MX16 FLASH 3V PROM, 60ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
概述
规格参数
数据手册M29DW640F60ZE6E 概述
4MX16 FLASH 3V PROM, 60ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 闪存
M29DW640F60ZE6E 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.54 | 最长访问时间： | 60 ns |
| 其他特性： | 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES | 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM/TOP | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 16,126 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 页面大小： | 4/8 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 8K,64K | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 6 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
M29DW640F60ZE6E 数据手册
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