M29F800AT90M1T [STMICROELECTRONICS]

8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory; 8兆位1Mb的X8或X16 512KB ,引导块单电源闪存
M29F800AT90M1T
元器件型号: M29F800AT90M1T
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
8兆位1Mb的X8或X16 512KB ,引导块单电源闪存

闪存 存储 内存集成电路 光电二极管
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型号参数:M29F800AT90M1T参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Transferred
零件包装代码SOIC
包装说明0.525 INCH, PLASTIC, SO-44
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.24
Is SamacsysN
最长访问时间90 ns
其他特性TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块TOP
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e3
长度28.2 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,15
端子数量44
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP44,.63
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度2.62 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.00015 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度13.3 mm
Base Number Matches1