M50FLW080BN5P [STMICROELECTRONICS]

8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory; 8兆位( 13× 64K字节块+ 3 ×16× 4K字节扇区) , 3V供应固件集线器/低引脚数闪存
M50FLW080BN5P
元器件型号: M50FLW080BN5P
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory
8兆位( 13× 64K字节块+ 3 ×16× 4K字节扇区) , 3V供应固件集线器/低引脚数闪存

闪存
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型号参数:M50FLW080BN5P参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
零件包装代码TSOP
包装说明10 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-40
针数40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.84
最长访问时间11 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G40
JESD-609代码e3/e6
长度18.4 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模48,13
端子数量40
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-20 °C
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP40,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
部门规模4K,64K
最大待机电流0.0001 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层TIN/TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度10 mm
Base Number Matches1