M58BW32FB4ZA3F
更新时间：2024-09-18 05:31:59
描述：16 or 32 Mbit (x32, Boot Block, Burst) 3.3V supply Flash memories
概述
规格参数
数据手册M58BW32FB4ZA3F 概述
16 or 32 Mbit (x32, Boot Block, Burst) 3.3V supply Flash memories 16或32兆位（ X32 ，引导块，爆发） 3.3V电源闪存 闪存
M58BW32FB4ZA3F 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80 |
| 针数： | 80 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.55 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 45 ns | 启动块： | BOTTOM |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PBGA-B80 |
| 长度： | 12 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 4,8,62 |
| 端子数量： | 80 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512KX32 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装等效代码： | BGA80,8X10,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 页面大小： | 4 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | AEC-Q100 |
| 座面最大高度： | 1.7 mm | 部门规模： | 4K,2K,16K |
| 最大待机电流： | 0.00015 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
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