NAND01GR3A0AZA1
更新时间：2024-09-18 01:49:32
描述：128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
概述
规格参数
数据手册NAND01GR3A0AZA1 概述
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories 128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 闪存
NAND01GR3A0AZA1 规格参数
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-63 |
| 针数： | 63 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.09 | 最长访问时间： | 15000 ns |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 15 mm | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 134217728 words | 字数代码： | 128000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128MX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 编程电压： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 类型： | NAND TYPE | 宽度： | 8.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
NAND01GR3A0AZA1 数据手册
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