NAND02GW4B2BN6F [STMICROELECTRONICS]

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory; 1千兆, 2千兆, 2112字节/ 1056字页, 1.8V / 3V , NAND闪存
NAND02GW4B2BN6F
元器件型号: NAND02GW4B2BN6F
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
1千兆, 2千兆, 2112字节/ 1056字页, 1.8V / 3V , NAND闪存

闪存 存储 内存集成电路 光电二极管
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型号参数:NAND02GW4B2BN6F参数
是否Rohs认证符合
生命周期Transferred
IHS 制造商STMICROELECTRONICS
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1,
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.45
Is SamacsysN
最长访问时间25000 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3
长度18.4 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NAND TYPE
宽度12 mm
Base Number Matches1