元器件型号: | NAND02GW4B2CZA6E |
生产厂家: | STMICROELECTRONICS |
描述和应用: | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
PDF文件: | 总62页 (文件大小:713K) |
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型号参数:NAND02GW4B2CZA6E参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | STMICROELECTRONICS |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, |
针数 | 63 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
风险等级 | 5.45 |
最长访问时间 | 25000 ns |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B63 |
长度 | 12 mm |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 63 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.05 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 9.5 mm |
1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
1千兆, 2千兆, 2112字节/ 1056字页, 1.8V / 3V , NAND闪存