ST24C16CB3

更新时间:2024-09-18 18:39:47
描述:2KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, SDIP-8

ST24C16CB3 概述

2KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, PLASTIC, SDIP-8 EEPROM

ST24C16CB3 规格参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP8,.3针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.89
Is Samacsys:N其他特性:1000K ERASE/WRITE CYCLES MIN.; DATA RETENTION > 10 YEARS
最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHz数据保留时间-最小值:10
耐久性:100000 Write/Erase CyclesI2C控制字节:1010MMMR
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e0
长度:9.55 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2KX8
输出特性:OPEN-DRAIN封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.9 mm串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.0001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.002 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
写保护:SOFTWAREBase Number Matches:1

ST24C16CB3 数据手册

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