STD35NF06 [STMICROELECTRONICS]

N-CHANNEL 60V - 0.018ohm - 35A DPAK STripFET⑩II MOSFET; N沟道60V - 0.018ohm - 35A DPAK STripFET⑩II MOSFET
STD35NF06
元器件型号: STD35NF06
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

N-CHANNEL 60V - 0.018ohm - 35A DPAK STripFET⑩II MOSFET
N沟道60V - 0.018ohm - 35A DPAK STripFET⑩II MOSFET

PDF文件: 总9页 (文件大小:443K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:STD35NF06参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
IHS 制造商STMICROELECTRONICS
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.8
雪崩能效等级(Eas)130 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)35 A
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.024 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON