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S29GL01GS12FHIV013  S29GL01GS10THIV010  S29GL01GS12DFIV013  S29GL01GS12DFIV010  S29GL01GS10TFIV010  S29GL01GS11DFIV023  S29GL01GS10TFIV023  S29GL01GS12THIV010  S29GL01GS11FFIV020  S29GL01GS11FFIV010  
21N65M5 N沟道650 V, 0.175 Ω , 17的PowerFLAT ? ( 8×8 ) HV超低栅极电荷的MDmesh ? V功率MOSFET (N-channel 650 V, 0.175 Ω, 17 A PowerFLAT? (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh? V Power MOSFET)
.型号:   21N65M5
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描述: N沟道650 V, 0.175 Ω , 17的PowerFLAT ? ( 8×8 ) HV超低栅极电荷的MDmesh ? V功率MOSFET
N-channel 650 V, 0.175 Ω, 17 A PowerFLAT? (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh? V Power MOSFET
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100%
STL21N65M5
N沟道650 V, 0.175
Ω
17的PowerFLAT ™ ( 8×8 ) HV
,
超低栅极电荷的MDmesh ™ V功率MOSFET
特点
TYPE
STL21N65M5
V
DSS
@
T
JMAX
710 V
R
DS ( ON)
最大
< 0.190
Ω
I
D
17 A
(1)
1.值根据R级
THJ情况
100%的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
应用
切换应用程序
描述
该设备是一个N沟道的MDmesh ™ V功率
基于创新的专利MOSFET
垂直处理技术,它是组合
与意法半导体的知名
的PowerMESH ™水平布局结构。该
所得产品具有极低的导通
电阻,这是其中硅无与伦比
基于功率MOSFET ,使其特别
适合应用需要卓越
功率密度和效率出众。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
21N65M5
PowerFLAT ™ ( 8×8 ) HV
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL21N65M5
2011年5月
文档ID 17438牧师4
1/14
14
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