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应用说明

高频率的阻尼二极管

B.铆钉

介绍

在新显示器的发展趋势是不断增加

切换水平偏转频率

阶段：路64kHz --- > 110kHz 。

SGS汤姆逊已经开发了新的1500V

阻尼二极管（ DTV64D - DTV82D - DTV110D ）

使用新的硅结构和合适的寿命

还原过程既优化，以

降低峰值正向电压（V

FP

) .

对于较高的开关频率，关键

阻尼二极管的参数优化

变得越来越重要。此应用程序

笔记描述了这些关键参数和

相关联的功率损耗。

阻尼二极管的主要特征参数

一个阻尼二极管的关键参数是

峰值正向电压（V

FP

） ，正向电压

(V

F

）和恢复时间（ trr的） 。

反向恢复时间： TRR

在图1的表中给出的最大反向

恢复时间为3高频阻尼

二极管。

TRR最大

I

F

= 1A - D

IF

/ DT = 50 A / μs的

V

R

= 30V - TJ = 25°C

DTV64D

DTV82D

DTV110D

135纳秒

125纳秒

115纳秒

时间

of

电压降： V

F

此参数固定导通的价值

损失（ Pcond ）在二极管。这种损失可能是

估计：

Ip

Ip

2

PCOND

=

VTO

δ =

Rd

δ

2

3

其中：

叶：峰值电流在二极管

δ

：的导通时间占空比

VTO ​​：阻尼二极管的阈值电压

路：对动力性

阻尼器DIOD

e

例如：随着DTV64D

VTO ​​（典型值） = 0.89V

路（典型值） = 35mΩ

和

IP = 6A

δ

= 0.45

我们发现，

Pcond = 1.4W

峰值正向电压： V

FP

此参数必须尽可能低的

为了减少开关开在二极管损耗。

峰值正向电压主要取决于

DIF / DT 。 （V

FP

用DIF / dt的增加） 。为了这

应用为D

IF

/ （dt）是典型地等于60A /微秒。

图2示出了在整个电流和电压

二极管，当它导通时，在满足以下条件：

IP = 6A ð

IF

/ DT = 60A / μs的TJ = 100℃ DTV64D ，

DTV82D和DTV110D 。

图1 ：

最大反向恢复

DTV64D ， DTV82D和DTV110D 。

阻尼器的应用笔记"CHOICE

二极管水平DEFLECTION"

详细解释的很具体的机制

开关关断损耗（ Poff脚）在减振器

二极管。反向恢复时间trr的最大值已被选

可以肯定的是，在开关关断损耗

阻尼二极管将是微不足道的。

AN874 / 0996版： 2

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应用说明

DTV64D

2A/D

0A

0V

DTV82D

2V/D

100ns/D

2A/D

0A

0V

DTV110D

2V/D

100ns/D

2A/D

0A

0V

2V/D

100ns/D

图。 2 ：

V的波形图

FP

对于DTV64D ， DTV82D ， DTV110D与IP = 6A ð

IF

/ DT = 60A / μs的TJ = 100℃

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应用说明

相应的能量可以被计算为：

在阻尼二极管总损耗：P

T

由于漏电流的反向损耗

与ST忽略不计，开关关断损耗

阻尼二极管也可以忽略不计。

在阻尼二极管，以便总损耗的总和

的导通损耗和开关接通

损失：

P

T

= P

ON

+ Pcond

例如： DTV64D

IP = 6A

δ

= 0.45

F =路64kHz

PT = 2.1W

结论

新的阻尼二极管已优化

水平偏转电路在高温工作

频率。一种新的技术已经

开发，以减少峰值正向电压作为

尽可能。 TRR之间的妥协

和VF已被选定，以确保开关

关断损耗可以忽略不计。 SGS THOMSON报价

高频率，阻尼二极管DTV64D ，

DTV82D ， DTV110D操作通常在64 ，

82和110kHz 。显然每个二极管可以用来

对于较高的频率，例如：一个DTV82D可以

可以使用在110kHz ，在这种情况下，总的损失会

比用DTV110D更高。

W

ON

=

∫

t

FR

o

诉I DT

通过使用该公式和开关波形

在DTV64D ，我们发现：

W

ON

= 11.3µ J

接通损耗由下式给出：

P

ON

=

韩元X F

例如：随着DTV64D

IP = 6A

DIF / DT = 60A / μs的

TJ = 100℃

F =路64kHz

我们有

W

ON

= 11.3µ J

和

P

ON

= 0.73W

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