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®
应用说明
高频率的阻尼二极管
B.铆钉
介绍
在新显示器的发展趋势是不断增加
切换水平偏转频率
阶段:路64kHz --- > 110kHz 。
SGS汤姆逊已经开发了新的1500V
阻尼二极管( DTV64D - DTV82D - DTV110D )
使用新的硅结构和合适的寿命
还原过程既优化,以
降低峰值正向电压(V
FP
) .
对于较高的开关频率,关键
阻尼二极管的参数优化
变得越来越重要。此应用程序
笔记描述了这些关键参数和
相关联的功率损耗。
阻尼二极管的主要特征参数
一个阻尼二极管的关键参数是
峰值正向电压(V
FP
) ,正向电压
(V
F
)和恢复时间( trr的) 。
反向恢复时间: TRR
在图1的表中给出的最大反向
恢复时间为3高频阻尼
二极管。
TRR最大
I
F
= 1A - D
IF
/ DT = 50 A / μs的
V
R
= 30V - TJ = 25°C
DTV64D
DTV82D
DTV110D
135纳秒
125纳秒
115纳秒
时间
of
电压降: V
F
此参数固定导通的价值
损失( Pcond )在二极管。这种损失可能是
估计:
Ip
Ip
2
PCOND
=
VTO
δ =
Rd
δ
2
3
其中:
叶:峰值电流在二极管
δ
:的导通时间占空比
VTO ​​:阻尼二极管的阈值电压
路:对动力性
阻尼器DIOD
e
例如:随着DTV64D
VTO ​​(典型值) = 0.89V
路(典型值) = 35mΩ
IP = 6A
δ
= 0.45
我们发现,
Pcond = 1.4W
峰值正向电压: V
FP
此参数必须尽可能低的
为了减少开关开在二极管损耗。
峰值正向电压主要取决于
DIF / DT 。 (V
FP
用DIF / dt的增加) 。为了这
应用为D
IF
/ (dt)是典型地等于60A /微秒。
图2示出了在整个电流和电压
二极管,当它导通时,在满足以下条件:
IP = 6A ð
IF
/ DT = 60A / μs的TJ = 100℃ DTV64D ,
DTV82D和DTV110D 。
图1 :
最大反向恢复
DTV64D , DTV82D和DTV110D 。
阻尼器的应用笔记"CHOICE
二极管水平DEFLECTION"
详细解释的很具体的机制
开关关断损耗( Poff脚)在减振器
二极管。反向恢复时间trr的最大值已被选
可以肯定的是,在开关关断损耗
阻尼二极管将是微不足道的。
AN874 / 0996版: 2
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应用说明
DTV64D
2A/D
0A
0V
DTV82D
2V/D
100ns/D
2A/D
0A
0V
DTV110D
2V/D
100ns/D
2A/D
0A
0V
2V/D
100ns/D
图。 2 :
V的波形图
FP
对于DTV64D , DTV82D , DTV110D与IP = 6A ð
IF
/ DT = 60A / μs的TJ = 100℃
2/3
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应用说明
相应的能量可以被计算为:
在阻尼二极管总损耗:P
T
由于漏电流的反向损耗
与ST忽略不计,开关关断损耗
阻尼二极管也可以忽略不计。
在阻尼二极管,以便总损耗的总和
的导通损耗和开关接通
损失:
P
T
= P
ON
+ Pcond
例如: DTV64D
IP = 6A
δ
= 0.45
F =路64kHz
PT = 2.1W
结论
新的阻尼二极管已优化
水平偏转电路在高温工作
频率。一种新的技术已经
开发,以减少峰值正向电压作为
尽可能。 TRR之间的妥协
和VF已被选定,以确保开关
关断损耗可以忽略不计。 SGS THOMSON报价
高频率,阻尼二极管DTV64D ,
DTV82D , DTV110D操作通常在64 ,
82和110kHz 。显然每个二极管可以用来
对于较高的频率,例如:一个DTV82D可以
可以使用在110kHz ,在这种情况下,总的损失会
比用DTV110D更高。
W
ON
=
t
FR
o
诉I DT
通过使用该公式和开关波形
在DTV64D ,我们发现:
W
ON
= 11.3µ J
接通损耗由下式给出:
P
ON
=
韩元X F
例如:随着DTV64D
IP = 6A
DIF / DT = 60A / μs的
TJ = 100℃
F =路64kHz
我们有
W
ON
= 11.3µ J
P
ON
= 0.73W
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