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M27C256B-10N7X 256千位(32KB ×8) UV EPROM和OTP EPROM (256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM)
.型号:   M27C256B-10N7X
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描述: 256千位(32KB ×8) UV EPROM和OTP EPROM
256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM
文件大小 :   149 K    
页数 : 16 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
M27C256B
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ , -40至85℃ , -40至105℃或-40 〜125℃ ; V
CC
= 5V ± 5 %或5V ±10 % ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH( 2)
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
I
OH
= –100µA
3.6
V
CC
– 0.7V
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
,G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 5MHz时
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V
V
PP
= V
CC
–0.3
2
最大
±10
±10
30
1
100
100
0.8
V
CC
+ 1
0.4
单位
µA
µA
mA
mA
µA
µA
V
V
V
V
V
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8A 。阅读模式AC特性
(1)
(T
A
= 0至70℃ , -40至85℃ , -40至105℃或-40 〜125℃ ; V
CC
= 5V ± 5 %或5V ±10 % ; V
PP
= V
CC
)
M27C256B
符号
ALT
参数
测试条件
-45
(3)
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ (2)
t
GHQZ (2)
t
AXQX
t
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到
输出有效
芯片使能低到
输出有效
输出使能低到
输出有效
芯片使能高到
输出高阻
输出使能高
输出高阻
地址过渡到
输出转换
E = V
IL
,G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
,G = V
IL
0
0
0
最大
45
45
25
25
25
0
0
0
-60
最大
60
60
30
30
30
0
0
0
-70
最大
70
70
35
30
30
0
0
0
-80
最大
80
80
40
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
2.采样只,而不是100 %测试。
3.用高速交流测量条件下获得速度。
两线输出控制
因为EPROM中在较大的,通常使用
存储器阵列,该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许:
一。最低的内存功耗,
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中,E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能,一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式,输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器所需的DE-
副。
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