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MBRS2035CT_1  ECH8615  MBRS2060CT  ECH8622R  MBRS20100CT  MBRS240L  MBRS190T3  MBRS2090CT  MBRS25100CT  MBRS2590CT  
M27C256B-10N7X 256千位(32KB ×8) UV EPROM和OTP EPROM (256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM)
.型号:   M27C256B-10N7X
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描述: 256千位(32KB ×8) UV EPROM和OTP EPROM
256 Kbit (32Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM
文件大小 :   149 K    
页数 : 16 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M27C256B
表9.编程模式DC特性
(1)
(T
A
= 25 ℃; V
CC
= 6.25V ± 0.25V; V
PP
= 12.75V ± 0.25V)
符号
I
LI
I
CC
I
PP
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
参数
输入漏电流
电源电流
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
A9电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
3.6
11.5
12.5
E = V
IL
–0.3
2
测试条件
V
IL
V
IN
V
IH
最大
±10
50
50
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
µA
mA
mA
V
V
V
V
V
注: V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
表10.编程模式AC特性
(1)
(T
A
= 25 ℃; V
CC
= 6.25V ± 0.25V; V
PP
= 12.75V ± 0.25V
符号
t
AVEL
t
QVEL
t
VPHEL
t
VCHEL
t
ELEH
t
EHQX
t
QXGL
t
GLQV
t
GHQZ
t
GHAX
ALT
t
AS
t
DS
t
VPS
t
VCS
t
PW
t
DH
t
OES
t
OE
t
DFP广告管理系统
t
AH
参数
地址有效到芯片使能低
输入有效到芯片使能低
V
PP
高到芯片使能低
V
CC
高到芯片使能低
芯片使能编程脉冲宽度
芯片使能高到输入转换
输入转换为输出使能低
输出使能低到输出有效
输出使能高到输出高阻
输出使能高到地址转换
0
0
测试条件
2
2
2
2
95
2
2
100
130
105
最大
单位
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
ns
ns
ns
注: V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
程序设计
当传送(每个擦除的紫外线后,
EPROM)的M27C256B的所有位都在"1"
状态。数据是通过选择性地编程引入
明"0"s成所需的位的位置。虽然
只有"0"s将被编程,既"1"s和"0"s
可以存在于该数据字。以唯一的办法
改变一个'0'到'1',是通过模具暴露在紫外线
光( UV EPROM ) 。该M27C256B是亲
编程模式时, V
PP
输入为12.75V ,G是
在V
IH
和E是脉冲到V
IL
。数据被亲
编程施加到8位并行数据
输出管脚。所需的地址的水平
和数据输入是TTL 。 V
CC
被指定为
6.25V ± 0.25 V.
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