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M27W256
256千位（32KB ×8 ）低电压UV EPROM和OTP EPROM
s
2.7V至3.6V的读取电源电压
手术
访问时间：
- 为70ns在V
CC
= 3.0V至3.6V
- 80ns的在V
CC
= 2.7V至3.6V
28
28
s
s
s
引脚兼容M27C256B
低功耗：
- 最大15μA待机电流
- 15mA最大值工作电流在5MHz
1
1
FDIP28W （ F）
PDIP28 （ B）
s
s
编程时间为100μs /字节
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁免疫保护
PLCC32 （ K）
s
电子签名
- 制造商代码： 20H
- 器件代码：为3Dh
图1.逻辑图
TSOP28 （ N）
8× 13.4毫米
描述
该M27W256是一个低电压256千比特的EPROM
在两个范围内的UV提供（紫外线擦除）
和OTP （一次性可编程） 。它是理想的
适合于微处理器的系统，是奥尔加
8位认列之为32,768 。
该M27W256操作与读出模式
电源电压低至3V 。在OP-减少
展业务的功率允许使用减小的尺寸的
电池或之间的增加的时间的
电池充电。
该FDIP28W （窗口陶瓷熔块密封包装）
具有透明的盖，其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M27W256是提供在PDIP28 ， PLCC32和
TSOP28 （ 8× 13.4毫米）封装。
VCC
VPP
15
A0-A14
8
Q0-Q7
E
G
M27W256
VSS
AI03629
2000年3月
1/15
M27W256
图2A 。 DIP连接
图2B中。 LCC连接
AI03627
Q1
Q2
VSS
DU
Q3
Q4
Q5
AI03626
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
M27W256
8
21
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
Q0
A7
A12
VPP
DU
VCC
A14
A13
1 32
A8
A9
A11
NC
G
A10
E
Q7
Q6
9
M27W256
25
17
图2C 。 TSOP连接
表1.信号名称
A0-A14
Q0-Q7
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目供应
电源电压
地
在内部没有连接
不使用
G
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
21
28
1
M27W256
15
14
7
8
AI03628
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
VSS
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
E
G
V
PP
V
CC
V
SS
NC
DU
2/15
M27W256
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO （2）
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压（除A9 ）
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-2〜7的
-2〜7的
-2至13.5
-2〜 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注： 1，除了等级“工作温度范围” ，强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
读
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注：X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
Q7-Q0
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
8Dh
3/15
M27W256
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
≤
10ns
0至3V
1.5V
标准
≤
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
下
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3kΩ
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz）的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试康迪特离子
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
最大
6
12
单位
pF
pF
注： 1。采样只，而不是100 ％测试。
设备操作
该M27W256的操作模式列示
在操作模式。单电源
在读取模式必需的。所有输入为TTL列弗
ELS除了V
PP
和12V的A9电子
签名。
读取模式
该M27W256具有两个控制功能，两者的
它必须是逻辑上的活性，以获得
在输出数据。芯片启用（ E）是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能（ G）的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚， indepen-
凹痕设备选择的。假设AD-
礼服是稳定的，地址访问时间
(t
AVQV
）等于从E中的延迟，以输出
(t
ELQV
） 。数据提供的延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿，假定
E公司一直很低，地址一直台站
竹叶提取至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27W256具有待机模式，该模式reduc-
ES电源电流从10mA至10μA低
工作电压V
CC
≤
3.6V ，看阅读模式DC
特性表的详细信息。该M27W256是
通过施加的CMOS置于待机模式
高信号到E的输入。当在待机状态
模式时，输出处于高阻抗状态，
独立对G输入。
4/15
M27W256
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= -40〜 85 ℃; V
CC
= 2.7V至3.6V ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH（ 2）
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机） TTL
电源电流（待机） CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400µA
2.4
测试条件
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
E = V
IL
，G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 5MHz时，
V
CC
≤
3.6V
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V,
V
CC
≤
3.6V
V
PP
= V
CC
–0.6
0.7 V
CC
1
15
100
0.2 V
CC
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
µA
µA
V
V
V
V
民
最大
±10
±10
15
单位
µA
µA
mA
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8.读模式AC特性
(1)
(T
A
= -40〜 85 ℃; V
CC
= 2.7V至3.6V ; V
PP
= V
CC
)
M27W256
TEST
条件
民
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ （2）
t
GHQZ （2）
t
AXQX
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到
输出有效
芯片使能低到
输出有效
输出使能低
到输出有效
芯片使能高
输出高阻
输出使能高
输出高阻
地址转换
到输出转换
E = V
IL
,
G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
,
G = V
IL
0
0
0
-80
(3)
-100
(-120/-150/-200)
符号
ALT
参数
单位
V
CC
= 3.0V至3.6V V
CC
= 2.7V至3.6V V
CC
= 2.7V至3.6V
最大
70
70
40
40
40
民
最大
80
80
50
民
最大
100
100
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
0
0
50
50
0
0
0
60
60
注：1， V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
2.采样只，而不是100 ％测试。
3.用高速交流测量条件下获得速度。
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