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M27W256-100K6TR 256千位32Kb的×8低电压UV EPROM和OTP EPROM (256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM)
.型号:   M27W256-100K6TR
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描述: 256千位32Kb的×8低电压UV EPROM和OTP EPROM
256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
文件大小 :   103 K    
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
M27W256
图5.读模式AC波形
A0-A14
有效
tAVQV
tAXQX
有效
E
TGLQV
G
TELQV
Q0-Q7
TGHQZ
高阻
TEHQZ
AI00758B
两线输出控制
因为EPROM中在较大的,通常使用
存储器阵列,该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许:
一。最低的内存功耗,
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中,E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能,一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式和帽子的输出引脚仅活跃时
数据从一个特定的存储设备所需的。
系统注意事项
高级的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
设备。供给电流I
CC
,有三段
中进行的,所关心的系统设计师
待机电流水平,活性电流电平,
而且所生产的瞬时峰值电流
大肠杆菌的幅度的上升沿和下降沿
该瞬态电流峰值是依赖于
该装置的电容性和电感性负载
的输出。相关的瞬态电压峰值
可以通过用两个线路符合被抑制
输出控制并通过适当地选择去耦
电容器。建议在一个0.1μF ceram-
IC电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是一个高频电容
低固有电感与器应
尽可能靠近器件摆放。此外
化,一个4.7μF的大容量电解电容应该是
V之间使用
CC
和V
SS
对于每一个8 devic-
ES 。大容量电容应靠近
电源连接点。的目的
大容量电容器是克服电压降
引起PCB走线电感的影响。
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