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M27W256-100K6TR 256千位32Kb的×8低电压UV EPROM和OTP EPROM (256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM)
.型号:   M27W256-100K6TR
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描述: 256千位32Kb的×8低电压UV EPROM和OTP EPROM
256 Kbit 32Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
文件大小 :   103 K    
页数 : 15 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
M27W256
板载编程
该M27W256可以直接编程的
应用电路。请参阅相关的应用
注AN620 。
电子签名
电子签名( ES )模式允许
从EPROM读出的二进制代码
将确定其制造商和型号。此模式
旨在用于通过编程设备
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。
在ES模式功能,在25℃
±
5 ℃,上午
亲时所需关环境温度范围
编程的M27W256 。要激活ES
模式,编程设备必须强制
11.5V到12.5V上的地址线A9
M27W256 ,与V
CC
= V
PP
= 5V 。两个标识符
字节然后,可以从该设备测序输出
提出了从V切换地址线A0
IL
到V
IH
。所有
其他地址线必须在V举行
IL
电子签名方式。字节0 ( A0 = V
IL
) REP-
不满的制造商代码和字节1 ( A0 =
V
IH
)设备identi连接器的代码。对于
意法半导体M27W256 ,这两个标识符
字节列于表4 ,并且可以读出上
Q7输出为Q0 。注意, M27W256和
M27C256B具有相同的标识符字节。
擦除操作(适用于UV EPROM )
该M27W256的擦除特性
使得擦除开始时,细胞是EX-
所构成的光的波长比AP-短
近因4000埃。但是应当注意的是
阳光和某些类型的荧光灯都
波长在3000-4000的范围内。研究
表明,长期暴露于室内的水平fluo-
rescent照明可以在擦除一个典型的M27W256
约3年,而这将需要大约1
周以使擦除时直接暴露在
阳光下。如果M27W256是暴露于这些
类型的照明条件的长时间
时间,故建议不透明的标签放在过
该M27W256窗口,以防止意外
擦除。对于推荐的擦除程序
该M27W256是暴露在短波紫外线
光,具有波长2537Å 。综合
剂量(即紫外线强度X曝光时间)为擦除
最小应为15的W-秒/厘米
2
。该era-
一定时间与该剂量是约15至
使用紫外灯与12000 20分钟
μW /厘米
2
额定功率。该M27W256应
放置在所述灯管为2.5厘米(1英寸)的
在擦除。有些灯具有一个过滤器
他们管这前应era-被删除
肯定。
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