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M27W256
256千位(32KB ×8 )低电压UV EPROM和OTP EPROM
s
2.7V至3.6V的读取电源电压
手术
访问时间:
- 为70ns在V
CC
= 3.0V至3.6V
- 80ns的在V
CC
= 2.7V至3.6V
28
28
s
s
s
引脚兼容M27C256B
低功耗:
- 最大15μA待机电流
- 15mA最大值工作电流在5MHz
1
1
FDIP28W ( F)
PDIP28 ( B)
s
s
编程时间为100μs /字节
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁免疫保护
PLCC32 ( K)
s
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 器件代码:为3Dh
图1.逻辑图
TSOP28 ( N)
8× 13.4毫米
描述
该M27W256是一个低电压256千比特的EPROM
在两个范围内的UV提供(紫外线擦除)
和OTP (一次性可编程) 。它是理想的
适合于微处理器的系统,是奥尔加
8位认列之为32,768 。
该M27W256操作与读出模式
电源电压低至3V 。在OP-减少
展业务的功率允许使用减小的尺寸的
电池或之间的增加的时间的
电池充电。
该FDIP28W (窗口陶瓷熔块密封包装)
具有透明的盖,其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除,所述
M27W256是提供在PDIP28 , PLCC32和
TSOP28 ( 8× 13.4毫米)封装。
VCC
VPP
15
A0-A14
8
Q0-Q7
E
G
M27W256
VSS
AI03629
2000年3月
1/15
M27W256
图2A 。 DIP连接
图2B中。 LCC连接
AI03627
Q1
Q2
VSS
DU
Q3
Q4
Q5
AI03626
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
1
28
2
27
3
26
4
25
5
24
6
23
7
22
M27W256
8
21
9
20
10
19
11
18
12
17
13
16
14
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
Q0
A7
A12
VPP
DU
VCC
A14
A13
1 32
A8
A9
A11
NC
G
A10
E
Q7
Q6
9
M27W256
25
17
图2C 。 TSOP连接
表1.信号名称
A0-A14
Q0-Q7
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目供应
电源电压
在内部没有连接
不使用
G
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
21
28
1
M27W256
15
14
7
8
AI03628
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
VSS
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
E
G
V
PP
V
CC
V
SS
NC
DU
2/15
M27W256
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压(除A9 )
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40至125
-50至125
-65到150
-2〜7的
-2〜7的
-2至13.5
-2〜 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注: 1,除了等级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注:X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
V
CC
Q7-Q0
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
1
Q6
0
0
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
8Dh
3/15
M27W256
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
10ns
0至3V
1.5V
标准
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3kΩ
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz)的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试康迪特离子
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
6
12
单位
pF
pF
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
设备操作
该M27W256的操作模式列示
在操作模式。单电源
在读取模式必需的。所有输入为TTL列弗
ELS除了V
PP
和12V的A9电子
签名。
读取模式
该M27W256具有两个控制功能,两者的
它必须是逻辑上的活性,以获得
在输出数据。芯片启用( E)是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能( G)的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚, indepen-
凹痕设备选择的。假设AD-
礼服是稳定的,地址访问时间
(t
AVQV
)等于从E中的延迟,以输出
(t
ELQV
) 。数据提供的延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿,假定
E公司一直很低,地址一直台站
竹叶提取至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27W256具有待机模式,该模式reduc-
ES电源电流从10mA至10μA低
工作电压V
CC
3.6V ,看阅读模式DC
特性表的详细信息。该M27W256是
通过施加的CMOS置于待机模式
高信号到E的输入。当在待机状态
模式时,输出处于高阻抗状态,
独立对G输入。
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M27W256
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= -40〜 85 ℃; V
CC
= 2.7V至3.6V ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH( 2)
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400µA
2.4
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
,G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 5MHz时,
V
CC
3.6V
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V,
V
CC
3.6V
V
PP
= V
CC
–0.6
0.7 V
CC
1
15
100
0.2 V
CC
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
µA
µA
V
V
V
V
最大
±10
±10
15
单位
µA
µA
mA
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
表8.读模式AC特性
(1)
(T
A
= -40〜 85 ℃; V
CC
= 2.7V至3.6V ; V
PP
= V
CC
)
M27W256
TEST
条件
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ (2)
t
GHQZ (2)
t
AXQX
t
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
地址有效到
输出有效
芯片使能低到
输出有效
输出使能低
到输出有效
芯片使能高
输出高阻
输出使能高
输出高阻
地址转换
到输出转换
E = V
IL
,
G = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
G = V
IL
E = V
IL
E = V
IL
,
G = V
IL
0
0
0
-80
(3)
-100
(-120/-150/-200)
符号
ALT
参数
单位
V
CC
= 3.0V至3.6V V
CC
= 2.7V至3.6V V
CC
= 2.7V至3.6V
最大
70
70
40
40
40
最大
80
80
50
最大
100
100
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
0
0
0
50
50
0
0
0
60
60
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
2.采样只,而不是100 %测试。
3.用高速交流测量条件下获得速度。
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