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1N5148A  1N5097  1N5148  1N5115  1N5142  1N5144  1N50G-TA3-T  1N5144A  1N5096  1N5092  
M27W401-200F6TR 4兆位512KB ×8低压UV EPROM和OTP EPROM (4 Mbit 512Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM)
.型号:   M27W401-200F6TR
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描述: 4兆位512KB ×8低压UV EPROM和OTP EPROM
4 Mbit 512Kb x 8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
文件大小 :   104 K    
页数 : 15 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
M27W401
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
10ns
0至3V
1.5V
标准
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3kΩ
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz)的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试康迪特离子
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
6
12
单位
pF
pF
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
设备操作
该M27W401的操作模式中列出
在操作模式表。单电源
需要在读取模式。所有输入为TTL
除了V水平
PP
和12V的A9电子
签名。
读取模式
该M27W401具有两个控制功能,两者的
它必须是逻辑上的活性,以获得
在输出数据。芯片启用( E)是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能( G)的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚, indepen-
凹痕设备选择的。假设AD-
礼服是稳定的,地址访问时间
(t
AVQV
)等于从E中的延迟,以输出
(t
ELQV
) 。数据可在一个延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿,假定
E公司一直很低,地址一直台站
竹叶提取至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27W401具有待机模式,该模式reduc-
ES电源电流从15mA至15μA低
工作电压V
CC
3.6V ,看阅读模式DC
特性表的详细信息。该M27W401是
通过施加的CMOS置于待机模式
高信号到E的输入。当在待机状态
模式时,输出处于高阻抗状态,
独立对G输入。
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