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M27W401
4兆位( 512KB ×8 )低电压UV EPROM和OTP EPROM
s
2.7V至3.6V低电压的READ
手术
访问时间:
- 为70ns在V
CC
= 3.0V至3.6V
- 80ns的在V
CC
= 2.7V至3.6V
32
s
32
s
s
引脚兼容M27C4001
低功耗:
- 最大15μA待机电流
- 15mA最大值工作电流在5MHz
1
1
FDIP32W ( F)
PDIP32 ( B)
s
s
编程时间为100μs /字节
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁免疫保护
PLCC32 ( K)
TSOP32 ( N)
8 ×20mm的
s
电子签名
- 制造商代码: 20H
- 器件代码: 41H
图1.逻辑图
描述
该M27W401是一个低电压4兆比特的EPROM OF-
fered在两个范围内的UV (紫外线擦除)和
OTP (一次性可编程) 。它非常适合
微处理器系统需要大量的数据或
程序存储,并通过8组织为524,288
位。
该M27W401操作与读出模式
电源电压可低至2.7V ,在-40到85°C温
温度范围内。在运行功率的降低
允许使用一减少了电池的大小的
或增加电池之间的时间再
收费。
该FDIP32W (窗口陶瓷熔块密封包装)
具有透明的盖,其允许用户向EX-
构成所述芯片对紫外线来擦除的比特巳
燕鸥。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用程序,其中所述内容被编程
不要求只有一个时间和擦除,所述
M27W401是提供在PDIP32 , PLCC32和
TSOP32 (8 ×20mm的)封装。
VCC
VPP
19
A0-A18
8
Q0-Q7
E
G
M27W401
VSS
AI01590
2000年3月
1/15
M27W401
图2A 。 DIP连接
图2B中。 LCC连接
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
VSS
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6
27
7
26
8
25
M27W401
9
24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
AI02676
VCC
A18
A17
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
A12
A15
A16
VPP
VCC
A18
A17
1 32
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
Q7
9
M27W401
25
17
VSS
Q3
Q4
Q5
Q6
AI01591
图2C 。 TSOP连接
表1.信号名称
A0-A18
Q0-Q7
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目供应
电源电压
A11
A9
A8
A13
A14
A17
A18
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
32
8
9
M27W401
(普通)
25
24
16
17
AI01592
G
A10
E
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
VSS
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
E
G
V
PP
V
CC
V
SS
2/15
Q1
Q2
M27W401
表2.绝对最大额定值
(1)
符号
T
A
T
BIAS
T
英镑
V
IO (2)
V
CC
V
A9 (2)
V
PP
参数
工作环境温度
(3)
在偏置温度
储存温度
输入或输出电压(除A9 )
电源电压
A9电压
项目电源电压
价值
-40到85
-50至125
-65到150
-2〜7的
-2〜7的
-2至13.5
-2〜 14
单位
°C
°C
°C
V
V
V
V
注: 1,除了等级“工作温度范围” ,强调高于表中所列“绝对最大额定值”可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只,设备的操作在这些或任何其他条件
超出本规范的经营部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。另请参阅意法半导体处处计划和其他有关的质
性文件。
在输入或输出2.最小直流电压为-0.5V有可能冲至-2.0V一段小于20ns 。最大直流
电压输出为V
CC
+ 0.5V与可能的过冲至V
CC
+ 2V一段时间小于20ns 。
3.取决于范围。
表3.操作模式
模式
输出禁用
节目
VERIFY
禁止程序
待机
电子签名
注:X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V
±
0.5V.
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
G
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
X
V
ID
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
或V
SS
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
或V
SS
V
CC
Q7-Q0
数据输出
高阻
DATA IN
数据输出
高阻
高阻
代码
表4.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
1
Q5
1
0
Q4
0
0
Q3
0
0
Q2
0
0
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
41h
3/15
M27W401
表5. AC测量条件
高速
输入上升和下降时间
输入脉冲电压
输入和输出时序参考。电压
10ns
0至3V
1.5V
标准
20ns
0.4V至2.4V
0.8V和2V
图3. AC测试输入输出波形
图4.交流测试负载电路
1.3V
高速
3V
1.5V
0V
设备
TEST
2.0V
0.8V
AI01822
1N914
3.3kΩ
标准
2.4V
OUT
CL
0.4V
CL = 30pF的高速
CL = 100pF的标准
CL INCLUDES夹具电容
AI01823B
表6.电容
(1)
(T
A
= 25
°C,
F = 1 MHz)的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
测试康迪特离子
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
6
12
单位
pF
pF
注: 1。采样只,而不是100 %测试。
设备操作
该M27W401的操作模式中列出
在操作模式表。单电源
需要在读取模式。所有输入为TTL
除了V水平
PP
和12V的A9电子
签名。
读取模式
该M27W401具有两个控制功能,两者的
它必须是逻辑上的活性,以获得
在输出数据。芯片启用( E)是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能( G)的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚, indepen-
凹痕设备选择的。假设AD-
礼服是稳定的,地址访问时间
(t
AVQV
)等于从E中的延迟,以输出
(t
ELQV
) 。数据可在一个延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿,假定
E公司一直很低,地址一直台站
竹叶提取至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27W401具有待机模式,该模式reduc-
ES电源电流从15mA至15μA低
工作电压V
CC
3.6V ,看阅读模式DC
特性表的详细信息。该M27W401是
通过施加的CMOS置于待机模式
高信号到E的输入。当在待机状态
模式时,输出处于高阻抗状态,
独立对G输入。
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M27W401
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= -40〜 85 ℃; V
CC
= 2.7V至3.6V ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH( 2)
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400µA
2.4
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
,G = V
IL
, I
OUT
= 0毫安,
F = 5MHz时,V
CC
3.6V
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V, V
CC
3.6V
V
PP
= V
CC
–0.6
0.7 V
CC
最大
±10
±10
15
1
15
10
0.2 V
CC
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
µA
µA
mA
mA
µA
µA
V
V
V
V
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
两线输出控制
因为EPROM中在较大的,通常使用
存储器阵列,该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许:
一。最低的内存功耗,
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中,E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能,一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式,输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器需要
装置。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
设备。供给电流I
CC
,有三段
中进行的,所关心的系统设计师
待机电流水平,活性电流电平,
而且所生产的瞬时峰值电流
大肠杆菌的幅度的上升沿和下降沿
瞬态电流的峰值是依赖于
该装置的电容性和电感性负载
的输出。
相关的瞬态电压峰值可
通过与两线输出遵从抑制
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个0.1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是一个高频电容
低固有电感与器应
尽可能靠近器件摆放。此外
化,一个4.7μF的大容量电解电容应该是
V之间使用
CC
和V
SS
对于每一个8 devic-
ES 。大容量电容应靠近
的电源连接point.The目的
大容量电容器是克服电压降
引起PCB走线电感的影响。
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30 STMICROELECTR

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4 Mbit 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
35 STMICROELECTR

M27W402-100F6TR

4 Mbit 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
18 STMICROELECTR

M27W402-100K6TR

4 Mbit 256Kb x16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
16 STMICROELECTR