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M27W512-120K6TR 512千位( 64K ×8 )低电压UV EPROM和OTP EPROM (512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM)
.型号:   M27W512-120K6TR
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描述: 512千位( 64K ×8 )低电压UV EPROM和OTP EPROM
512 Kbit (64K x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
文件大小 :   372 K    
页数 : 21 页
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
M27W512
设备操作
该M27W512的操作模式是列表 -
ED的操作模式表。单电源
供给中需要的读出模式。所有的输入都是
TTL电平,除了GV
PP
和12V上的A9
电子签名。
读取模式
该M27W512具有两个控制功能,两者的
它必须是逻辑上的活性,以获得
在输出数据。芯片启用( E)是电源
控制和应使用的装置选择。
输出使能( G)的输出控制和应
用于门的数据到输出引脚, indepen-
凹痕设备选择的。假设AD-
礼服是稳定的,地址访问时间
(t
AVQV
)等于从E中的延迟,以输出
表2.操作模式
模式
输出禁用
节目
禁止程序
待机
电子签名
注:X = V
IH
或V
IL
, V
ID
= 12V ± 0.5V.
(t
ELQV
) 。数据可在一个延迟后的输出
的t
GLQV
给G的下降沿,假定
E公司一直很低,地址一直台站
竹叶提取至少吨
AVQV
-t
GLQV
.
待机模式
该M27W512具有待机模式,该模式reduc-
ES电源电流从15mA至15μA低
工作电压V
CC
3.6V ,看阅读模式DC
特性表的详细信息。该M27W512是
通过施加的CMOS置于待机模式
高信号到E的输入。当在待机状态
模式时,输出处于高阻抗状态,
独立的GV
PP
输入。
E
V
IL
V
IL
V
IL
脉冲
V
IH
V
IH
V
IL
GV
PP
V
IL
V
IH
V
PP
V
PP
X
V
IL
A9
X
X
X
X
X
V
ID
Q7-Q0
数据输出
高阻
DATA IN
高阻
高阻
代码
表3.电子签名
识别码
制造商代码
器件代码
A0
V
IL
V
IH
Q7
0
0
Q6
0
0
Q5
1
1
Q4
0
1
Q3
0
1
Q2
0
1
Q1
0
0
Q0
0
1
十六进制数据
20h
3Dh
两线输出控制
因为EPROM中在较大的,通常使用
存储器阵列,该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许:
一。最低的内存供电
耗散,
B 。完全保证了输出的总线
不会发生争用。
对于最有效地利用这两种控制的
线中,E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能,一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式,输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器需要
装置。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
设备。供给电流I
CC
,有三段
中进行的,所关心的系统设计师
待机电流水平,活性电流电平,
而且所生产的瞬时峰值电流
大肠杆菌的幅度的上升沿和下降沿
瞬态电流的峰值是依赖于
该装置的电容性和电感性负载
的输出。
相关的瞬态电压峰值可
通过与两线输出遵从抑制
控制和通过适当选择去耦钙
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