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F1G9A  DTA113ZKA  17365  BU4927  2455RC-90820465  BU4929  11SM1077-T  D25P33E4PA00  135-103LFW-J01  135-103LAF-J01  
M27W512-150F6TR 512 Kbit的64Kb的x8的低压紫外线EPROM和OTP EPROM (512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM)
.型号:   M27W512-150F6TR
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描述: 512 Kbit的64Kb的x8的低压紫外线EPROM和OTP EPROM
512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
文件大小 :   110 K    
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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M27W512
表7.读模式DC特性
(1)
(T
A
= -40〜 85 ℃; V
CC
= 2.7V至3.6V ; V
PP
= V
CC
)
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
I
PP
V
IL
V
IH( 2)
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流(待机) TTL
电源电流(待机) CMOS
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
2.4
测试条件
0V
V
IN
V
CC
0V
V
OUT
V
CC
E = V
IL
,G = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安, F = 5MHz时
V
CC
3.6V
E = V
IH
ê > V
CC
– 0.2V,
V
CC
3.6V
V
PP
= V
CC
–0.6
0.7 V
CC
最大
±10
±10
15
1
15
10
0.2 V
CC
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
µA
µA
mA
mA
µA
µA
V
V
V
V
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
在输出2.最大直流电压为V
CC
+0.5V.
两线输出控制
因为EPROM中在较大的,通常使用
存储器阵列,该产品配有2行CON-
控制功能可容纳的使用mul-
tiple内存连接。两线控制
功能允许:
一。最低的内存功耗,
B 。完全保证了输出的总线冲突
不会发生。
对于最有效地利用这两种控制的
线中,E应该被解码并作为prima-
Ry的设备中选择的功能,一边将应
向中的所有设备共同连接
阵列和连接到所述读取线从
系统控制总线。这确保了所有deselect-
编辑存储设备都在其低功耗待机
模式,输出引脚才有效
当数据从一个特定的存储器需要
装置。
系统注意事项
先进的电源开关特性
CMOS的EPROM需要仔细的去耦
设备。供给电流I
CC
,有三段
中进行的,所关心的系统设计师
待机电流水平,活性电流电平,
而且所生产的瞬时峰值电流
大肠杆菌的幅度的上升沿和下降沿
瞬态电流的峰值是依赖于
该装置的电容性和电感性负载
的输出。
相关的瞬态电压峰值可
通过与两线输出遵从抑制
控制和通过适当选择去耦钙
pacitors 。建议在一个0.1μF的陶瓷
电容V之间的每一个设备上使用
CC
和V
SS
。这应该是一个高频电容
低固有电感与器应
尽可能靠近器件摆放。此外
化,一个4.7μF的大容量电解电容应该是
V之间使用
CC
和V
SS
对于每一个8 devic-
ES 。大容量电容应靠近
的电源连接point.The目的
大容量电容器是克服电压降
引起PCB走线电感的影响。
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