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TA8796N  TA8851  TA8696  AD5450  TA8808BN  TA8552AFN  TA8776  TA8700AN  AD5432YRM  TC1278-5ENB  
M27W512-150F6TR 512 Kbit的64Kb的x8的低压紫外线EPROM和OTP EPROM (512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM)
.型号:   M27W512-150F6TR
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描述: 512 Kbit的64Kb的x8的低压紫外线EPROM和OTP EPROM
512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
文件大小 :   110 K    
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100%
M27W512
表9.编程模式DC特性
(1)
(T
A
= 25
°C;
V
CC
= 6.25V
±
0.25V; V
PP
= 12.75V
±
0.25V)
符号
I
LI
I
CC
I
PP
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
参数
输入漏电流
电源电流
编程电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压TTL
A9电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1mA
3.6
11.5
12.5
E = V
IL
–0.3
2
测试条件
V
IL
V
IN
V
IH
最大
±10
50
50
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
µA
mA
mA
V
V
V
V
V
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP
.
表10.保证金模式AC特性
(1)
(T
A
= 25
°C;
V
CC
= 6.25V
±
0.25V; V
PP
= 12.75V
±
0.25V)
符号
t
A9HVPH
t
VPHEL
t
A10HEH
t
A10LEH
t
EXA10X
t
EXVPX
t
VPXA9X
ALT
t
AS9
t
VPS
t
AS10
t
AS10
t
AH10
t
VPH
t
AH9
参数
V
A9
高到V
PP
V
PP
高到芯片使能低
V
A10
高到芯片使能高(集)
V
A10
低到芯片使能高(复位)
芯片使能过渡到V
A10
过渡
芯片使能过渡到V
PP
过渡
V
PP
过渡到V
A9
过渡
测试条件
2
2
1
1
1
2
2
最大
单位
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
注:1, V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
同时或V后取出
PP.
程序设计
该M27W512已被设计为完全的COM
兼容与M27C512并且具有相同的elec-
TRONIC签名。其结果是M27W512可以
编程为M27C512同一亲
在V应用12.75V编程设备
PP
6.25V的V
CC
。该M27W512可以使用PRESTO
IIB编程算法,可以极大reduc-
ES的编程时间。然而实现
与所有的编程设备的兼容性,
PRESTO II编程算法可用于
为好。当交付(每1的era-后
确保用于UV EPROM)的M27W512的所有位都
在“1”状态。数据是通过选择性地引入
编程'0'到所需的位的位置。 AL-
虽然只有'0'将被编程,这两个'1'和
'0'可以存在于该数据字。唯一的办法
通过模头曝光来改变一个'0'到'1'到ultravi-
OLET光( UV EPROM ) 。该M27W512是在
编程模式时, V
PP
输入为12.75V
和E是脉冲到V
IL
。的数据要被编程
被施加到8位并行数据输出
销。所需要的地址和数据的电平
输入是TTL 。 V
CC
被指定为6.25V
±
0.25V.
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