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M27W512-150F6TR 512 Kbit的64Kb的x8的低压紫外线EPROM和OTP EPROM (512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM)
.型号:   M27W512-150F6TR
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描述: 512 Kbit的64Kb的x8的低压紫外线EPROM和OTP EPROM
512 Kbit 64Kb x8 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
文件大小 :   110 K    
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品牌   STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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100%
M27W512
图7.编程和验证模式AC波形
A0-A15
塔维尔
Q0-Q7
tQVEL
VCC
tVCHEL
GVPP
tVPHEL
E
tELEH
节目
DATA IN
有效
tEHAX
数据输出
tEHQX
TELQV
tEHVPX
TEHQZ
tVPLEL
VERIFY
AI00737
图8.程序流程图
VCC = 6.25V , VPP = 12.75V
SET MARGIN模式
n=0
E = 100μs的脉冲
NO
++n
= 25
是的
NO
VERIFY
是的
LAST
ADDR
NO
++地址
失败
是的
RESET保证金模式
检查所有字节
第一: VCC = 5V
第二: VCC = 2.7V
AI00738C
PRESTO IIB编程算法
PRESTO IIB编程算法允许
整个阵列与一个保证被编程
距,以6.5秒的典型时间。这可以
与意法半导体M27W512实现
由于在所描述的几个设计创新
M27W512数据表,以提高编程EF -
FICIENCY以及提供足够的裕度可靠性
的能力。在开始之前的编程
内部边距模式的电路必须在或 - 设置
明镜,以保证每个单元被编程以
足够的余量。然后,为100μs的顺控
克的脉冲被施加到每一个字节,直到正确
验证发生时(参见图8) 。无overprogram PULS-
由于验证边距模式ES应用
在V
CC
比3.6V高得多,提供了必要请
埃森保证金。
禁止程序
并行地在多个M27W512s的编程
用不同的数据也很容易完成。 EX-
概念为E,都喜欢投入,包括GV
PP
该杆的
等位基因M27W512可以是常见的。一个TTL低电平
脉冲应用于M27W512的输入E ,V字形
PP
at
12.75V ,会编程的M27W512 。高水平
输入E抑制其他M27W512s被
编程。
程序校验
一个验证(阅读) ,应在执行亲
编程位,以确定它们是正确─
LY编程。在验证完成以G
在V
IL
。数据应与T进行验证
ELQV
E.下降边缘
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